[發(fā)明專利]阻變存儲器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710801908.6 | 申請日： | 2017-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN109473546B | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳華強(qiáng);吳威;高濱;錢鶴 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 361022 福建省廈門市軟件*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種阻變存儲器，包括：
第一電極，其中，所述第一電極沿第一方向延伸，且在所述第一電極的端部具有第一焊盤，所述第一焊盤在垂直于所述第一方向上的寬度大于所述第一電極在垂直于所述第一方向上的寬度；
第二電極，其中，所述第二電極沿第二方向延伸，且在所述第二電極的端部具有第二焊盤，所述第二焊盤在垂直于所述第二方向上的寬度大于所述第二電極在垂直于所述第一方向上的寬度，所述第一方向不同于所述第二方向；
阻變層，位于所述第一電極和所述第二電極之間；以及
至少一層儲熱層，所述儲熱層與所述阻變層相鄰，所述儲熱層的熱導(dǎo)率小于所述第一電極和所述第二電極的熱導(dǎo)率；
其中，所述至少一層儲熱層包括多個儲熱層，所述多個儲熱層分別設(shè)置在所述阻變層的上方、下方和側(cè)方，以包圍所述阻變層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，所述第一電極和/或所述第二電極的熱導(dǎo)率為所述儲熱層的熱導(dǎo)率的二倍、五倍或十倍以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，所述儲熱層采用的材料的熱導(dǎo)率為0.01W·m-1·K-1-20W·m-1·K-1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，還包括基底，其中，所述第一電極、第二電極、阻變層、儲熱層均形成于所述基底上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻變存儲器，其中，
所述基底采用的材料為硅和/或硅氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，
所述第一電極和/或所述第二電極采用的材料為Ti、Al、Ni、Ag、Au、W、Cu、Pt、Pd或TiN。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，
所述阻變層采用的材料為過渡金屬氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻變存儲器，其中，
所述過渡金屬氧化物為AlOx、TaOx、HfOx、SiOx、TiOx或WOx。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，
所述阻變層的厚度為1納米至30納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，
所述儲熱層采用的材料的電導(dǎo)率為10μΩ/cm2-10Ω/cm2。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，
所述儲熱層采用的材料為缺氧的金屬氧化物或相變材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的阻變存儲器，其中，
所述缺氧的金屬氧化物為AlOx、HfOx、SiOx、TiOx、TaOx或WOx；或者，所述相變材料為GST。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其中，
所述儲熱層的厚度為10納米至200納米。
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