[發(fā)明專利]一種基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710801839.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-09-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107632276A | 公開（公告）日： | 2018-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 于盟盟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 于盟盟 |
| 主分類號(hào)： | G01R33/032 | 分類號(hào)： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務(wù)所44242 | 代理人： | 馮筠 |
| 地址： | 528100 廣東省佛山*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 超磁致 伸縮 薄膜 磁場(chǎng) 檢測(cè) 系統(tǒng) | ||
1.一種基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，包括LD光源、光纖定向耦合器、光電探測(cè)器、匹配液、Y型光纖本體和磁場(chǎng)傳感器，其中，所述磁場(chǎng)傳感器包括：
第一傳感探頭，直接構(gòu)造在Y型光纖本體第一端部處，用于檢測(cè)磁場(chǎng)內(nèi)的溫度以作溫度補(bǔ)償基礎(chǔ)；和
第二傳感探頭，用于檢測(cè)磁場(chǎng)內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，其中，所述第二傳感探頭包括：
D型光纖光柵懸臂梁，直接構(gòu)造在Y型光纖本體第二端部處，
金屬薄膜，涂覆在所述D型光纖光柵懸臂梁上表面處，
超磁致伸縮薄膜，布置在所述金屬薄膜表面處，以感應(yīng)磁場(chǎng)的強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述光纖定向耦合器為2*2光纖定向耦合器，其具有第一端口至第四端口，所述第一端口與所述LD光源連接，所述第二端口與所述Y型光纖本體的輸入端連接，第三端口通過光纖與所述光電探測(cè)器連接，所述第四端口與所述匹配液連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述第三端口與所述光電探測(cè)器連接之間的光纖上設(shè)有匹配光柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述D型光纖光柵懸臂梁構(gòu)由所述Y型光纖本體的第二端部通過微機(jī)械加工出D型懸臂梁，再在所述D型懸臂梁處的纖芯處光刻光柵結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述光柵結(jié)構(gòu)構(gòu)造成傾斜光柵結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述第二傳感探頭與所述Y型光纖本體為一體化結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述超磁致伸縮薄膜的厚度為0.5μm-2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述超磁致伸縮薄膜呈長(zhǎng)條狀，所述超磁致伸縮薄膜的寬度按等于纖芯的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于超磁致伸縮薄膜的磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述金屬薄膜為金或鉻。
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