[發(fā)明專利]一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710801669.4
• 申請(qǐng)日: 2017-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN107546115A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志強(qiáng);徐星亮;李俊燾;張林;代剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號(hào): H01L21/04
• 分類號(hào): H01L21/04
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙)51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于工藝步驟如下：

（1）在SiC樣品表面進(jìn)行犧牲氧化，并去除氧化層；

（2）再次將SiC進(jìn)行高溫氧化，形成氧化層；

（3）在氧化層上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備沉積形成介質(zhì)層；

（4）通過光刻在介質(zhì)層上定義出離子注入?yún)^(qū)域，并刻蝕出離子注入窗口，按照工藝要求保留一定厚度的介質(zhì)層作為離子注入掩蔽層；

（5）低能離子注入：n型襯底注入氮N，p型襯底注入硼B(yǎng)；

（6）采用濕法腐蝕去除掩蔽層并進(jìn)行表面處理；

（7）淀積金屬薄膜；

（8）快速退火形成硅化物并實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)分凝；

（9）在正面淀積電極加厚金屬；

（10）光刻Pad圖形并刻蝕形成正面電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：步驟（1）中，在SiC樣品進(jìn)行犧牲氧化之前，先對(duì)SiC進(jìn)行清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：步驟（1）中，犧牲氧化的溫度范圍為1050℃~1150℃，高溫氧化的溫度范圍為1050℃~1150℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，所述介質(zhì)層為二氧化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：步驟（5）中：對(duì)于n型襯底，摻入氮的摻雜劑量為5e12~5e15 atom/cm^-2；對(duì)于P型襯底，摻入硼的摻雜劑量5e12~5e15 atom/cm^-2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：步驟（7）中，首先利用緩沖氧化物刻蝕液將步驟（4）中形成的離子注入掩蔽層去除，并對(duì)SiC樣品進(jìn)行清洗，然后利用物理氣相淀積方式，于SiC襯底上淀積一層金屬薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：所述金屬薄膜為Ni或Ni合金層，或Pt金屬層，或W金屬層，金屬薄膜的厚度為30nm~80nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：在金屬薄膜上沉積形成一層蓋帽層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC高壓功率器件歐姆接觸的制備方法，其特征在于：步驟（8）中所述快速熱退火工藝的溫度介于600℃~800℃，退火時(shí)間為30秒~80秒。