[發(fā)明專利]一種LC電路結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710801260.2
• 申請日: 2017-09-07
• 公開（公告）號: CN107425238A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉潔儀;章國豪;林甲富;陳續(xù)威;陳哲
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;H01G4/40
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種LC電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前，微波單片集成電路(MMIC)數(shù)字移相器在現(xiàn)代相控陣列雷達系統(tǒng)收發(fā)(T/R)組件中占據(jù)著重要地位，作為波束控制部件，MMIC數(shù)字移相器的工作狀態(tài)多，技術(shù)指標要求嚴格，隨著研究頻率的進一步升高，造成了MMIC數(shù)字移相器設(shè)計和制作難度的加大。

對于大相位的移相器，一般采用高低通型結(jié)構(gòu)。高低通型的數(shù)字移相器主要由開關(guān)LC電路結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中用T型LC電路結(jié)構(gòu)構(gòu)成移相器的高通狀態(tài)，用π型LC電路結(jié)構(gòu)構(gòu)成移相器的低通狀態(tài)。在傳統(tǒng)的LC電路結(jié)構(gòu)中，集總原件的阻抗特性隨著頻率的升高而變化，其中，傳統(tǒng)電容在電流和電壓過大時，容易造成擊穿，而且當(dāng)所需的電容值很小時，數(shù)值不穩(wěn)定；螺旋電感在高頻段阻抗變化大，旋轉(zhuǎn)的面積無法確定，不適應(yīng)高頻段工作。為了適應(yīng)高頻段的工作狀態(tài)，技術(shù)人員采用雙層微帶線代替電容和電感，但是在實際的工程中，一般會對微帶線的最小長度和最小寬度有設(shè)定，當(dāng)所需的電容值很小時，用雙層微帶線代替的電容難以調(diào)節(jié)電容值。

因此，如何為高低通數(shù)字移相器設(shè)計一種既適應(yīng)高頻段工作，又可以調(diào)節(jié)電容值到極小狀態(tài)的LC電路結(jié)構(gòu)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種LC電路結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)LC電路既適應(yīng)高頻段工作，又可以調(diào)節(jié)電容值到極小狀態(tài)。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案：

一種LC電路結(jié)構(gòu)，包括：相連的電容和電感，所述電感為第一單層微帶線，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線，所述第一單層微帶線和所述第二單層微帶線相連。

其中，所述電感為一條彎曲的單層微帶線。

其中，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線形成的雙金屬板帶隙電容，所述第二單層微帶線和所述第三單層微帶線的相對面分別作為所述電容的上金屬板和下金屬板。

其中，所述第二單層微帶線和所述第三單層微帶線的相對面之間的空氣作為所述電容的電介質(zhì)。

一種低通LC電路結(jié)構(gòu)，包括上述任意一項所述的LC電路結(jié)構(gòu)。

一種高通LC電路結(jié)構(gòu)，包括上述任意一項所述的LC電路結(jié)構(gòu)。

一種高低通數(shù)字移相器，包括上述任意一項所述的LC電路結(jié)構(gòu)。

通過以上方案可知，本發(fā)明實施例提供的一種LC電路結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：相連的電容和電感，所述電感為第一單層微帶線，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線，所述第一單層微帶線和所述第二單層微帶線相連。

可見，本發(fā)明實施例提供的一種LC電路結(jié)構(gòu)，用單層微帶線作為電感，在高頻段工作狀態(tài)下，電感值更加精確；用沿一條直線間隔分布的兩條單層微帶線作為電容，避免了電容擊穿情況的發(fā)生；如此設(shè)計了一種既適應(yīng)高頻段工作，又可以調(diào)節(jié)電容值到極小狀態(tài)的LC電路結(jié)構(gòu)；并且，單層微帶線的使用減小了電路的體積，節(jié)約了生產(chǎn)成本。相應(yīng)地，本發(fā)明實施例提供的一種低通LC電路結(jié)構(gòu)、高通LC電路結(jié)構(gòu)和高低通數(shù)字移相器，也同樣具有上述技術(shù)效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例公開的一種LC電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例公開的另一種LC電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例公開的一種高低通數(shù)字移相器結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例公開了一種LC電路結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)LC電路既適應(yīng)高頻段工作，又可以調(diào)節(jié)電容值到極小狀態(tài)。

參見圖1，本發(fā)明實施例提供的一種LC電路結(jié)構(gòu)，包括：

相連的電容和電感，所述電感為第一單層微帶線101，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線102和第三單層微帶線103，所述第一單層微帶線101和所述第二單層微帶線102相連。