[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710800919.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107818912B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尾辻正幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供基板處理方法及基板處理裝置,該基板處理方法包括:基板保持工序,將基板保持為水平;液膜形成工序,向所述基板的上表面供給處理液,形成覆蓋該基板的上表面的處理液的液膜;液膜去除區(qū)域形成工序,從所述處理液的液膜排除一部分處理液,在所述處理液的液膜形成液膜去除區(qū)域;液膜去除區(qū)域形成工序,從所述處理液的液膜排除一部分處理液,在所述處理液的液膜形成液膜去除區(qū)域;液膜去除區(qū)域擴(kuò)大工序,將所述液膜去除區(qū)域向所述基板的外周擴(kuò)大;氟化氫環(huán)境氣體保持工序,與所述液膜去除區(qū)域擴(kuò)大工序并行地,將所述液膜去除區(qū)域和所述處理液的液膜的邊界周?chē)沫h(huán)境氣體保持為含有氟化氫的蒸氣的環(huán)境氣體。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對(duì)象的基板,例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示裝置用基板、FED(Field EmissionDisplay;場(chǎng)致發(fā)射顯示裝置)用基板、光盤(pán)用基板、磁盤(pán)用基板、光磁盤(pán)用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽(yáng)能電池用基板等。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中,用處理液對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板的表面進(jìn)行處理。對(duì)基板一張一張地進(jìn)行處理的單張式基板處理裝置包括:旋轉(zhuǎn)夾具,其將基板保持為大致水平,并且使該基板旋轉(zhuǎn);噴嘴,其用于向由該旋轉(zhuǎn)夾具旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給處理液。
在典型的基板處理工序中,向被旋轉(zhuǎn)夾具保持的基板供給藥液。之后,向基板供給水,由此用水替換基板上的藥液。之后,進(jìn)行用于排除基板上的水的旋轉(zhuǎn)干燥工序。在旋轉(zhuǎn)干燥工序中,通過(guò)使基板高速旋轉(zhuǎn)來(lái)甩出去除(干燥)附著在基板上的水。通常的水是去離子水。
在基板的表面形成有微細(xì)的圖案的情況下,在旋轉(zhuǎn)干燥工序中,會(huì)存在不能去除進(jìn)入到圖案內(nèi)部的水的憂慮,由此會(huì)存在干燥不良的憂慮。于是,提出了如下方法:向用水處理后的基板表面,供給異丙醇(isopropyl alcohol:IPA)等有機(jī)溶劑,用有機(jī)溶劑替換進(jìn)入到基板表面的圖案間隙的水,從而使基板表面干燥。
如美國(guó)的未經(jīng)實(shí)質(zhì)審查的US5882433A公報(bào)中所示,在通過(guò)基板的高速旋轉(zhuǎn)來(lái)使基板干燥的旋轉(zhuǎn)干燥工序中,液面(空氣和液體的界面)形成在圖案內(nèi)。在該情況下,液體的表面張力作用于液面和圖案的接觸位置。該表面張力是使圖案倒塌的原因之一。
如美國(guó)的未經(jīng)實(shí)質(zhì)審查的US5882433A公報(bào)中所示,在沖洗處理后、旋轉(zhuǎn)干燥工序前,向基板的表面供給有機(jī)溶劑液體(以下,簡(jiǎn)稱為“有機(jī)溶劑”)的情況下,有機(jī)溶劑進(jìn)入到圖案之間。有機(jī)溶劑的表面張力低于作為典型的沖洗液的水的表面張力。因此,能夠緩解因表面張力發(fā)生的圖案倒塌的問(wèn)題。
但是,近年來(lái),為了使利用基板處理來(lái)制作的裝置(例如,半導(dǎo)體裝置)實(shí)現(xiàn)高集成化,微細(xì)且高縱橫(aspect)比的圖案(凸?fàn)顖D案、線狀圖案等)形成在基板表面成為趨勢(shì)。就微細(xì)且高縱橫比的圖案而言,由于其強(qiáng)度低,因此,存在作用于有機(jī)溶劑液面的表面張力也會(huì)引起倒塌的憂慮。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的在于,提供能夠有效地抑制圖案的倒塌,同時(shí)能夠使基板的上表面干燥的基板處理方法及基板處理裝置。
本發(fā)明提供一種基板處理方法,其包括:基板保持工序,將基板保持為水平;液膜形成工序,向所述基板的上表面供給處理液,形成覆蓋該基板的上表面的處理液的液膜;液膜去除區(qū)域形成工序,從所述處理液的液膜排除一部分處理液,在所述處理液的液膜形成液膜去除區(qū)域;液膜去除區(qū)域擴(kuò)大工序,與所述液膜去除區(qū)域形成工序并行地,使所述液膜去除區(qū)域向所述基板的外周擴(kuò)大;氟化氫環(huán)境氣體保持工序,與所述液膜去除區(qū)域擴(kuò)大工序并行地,將所述液膜去除區(qū)域和所述處理液的液膜的邊界周?chē)沫h(huán)境氣體保持為含有氟化氫的蒸氣的環(huán)境氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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