[發明專利]檢體傳感器以及檢體傳感方法有效
| 申請號: | 201710800346.3 | 申請日: | 2014-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN107655968B | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 勝田宏 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | G01N29/02 | 分類號: | G01N29/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 以及 傳感 方法 | ||
1.一種檢體傳感器,具備:
檢測信號輸出部,其輸出根據檢體中所含的靶物的吸附或者與所述靶物的反應而發生變化的檢測信號;
參考信號輸出部,其輸出針對所述檢測信號的基準信號即參考信號;
分支部,其將所述檢測信號以及所述參考信號之中的一個信號分支為第1信號和第2信號,將另一個信號分支為第3信號和第4信號;
計算部,其包含第1計算部以及第2計算部,該第1計算部根據所述第1信號和所述第3信號并利用外差方式來獲得第1計測信號,該第2計算部根據所述第2信號和所述第4信號并利用外差方式來獲得相位與所述第1計測信號不同且相位差除±180°之外的第2計測信號;
計測部,其根據所述第1計測信號來算出兩個第1相位變化候選值,根據所述第2計測信號來算出兩個第2相位變化候選值,將所述兩個第1相位變化候選值和所述兩個第2相位變化候選值之中的形成相位差的值最接近的組合的候選值判斷為第1相位變化值以及第2相位變化值;和
選擇部,其將所述第1相位變化值和所述第2相位變化值之中的任意一方選擇為相位變化值。
2.根據權利要求1所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述選擇部將所述第1相位變化值和所述第2相位變化值之中對應的所述計測信號的輸出值接近基準值的一方選擇為相位變化值。
3.根據權利要求1或2所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述選擇部將所述第1相位變化值和所述第2相位變化值之中位于所述第1計測信號的軌跡與所述第2計測信號的軌跡的兩個交點的強度之間的值選擇為所述相位變化值。
4.根據權利要求1或2所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述分支部使所述第1信號~所述第4信號之中的至少一個信號的相位不同,且相位差除±180°之外。
5.根據權利要求1或2所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述檢測信號輸出部包括:
第1基板,其具有壓電性;
檢測部,其配置在所述第1基板上,根據所述靶物的吸附或者與所述靶物的反應而發生變化;
檢測第1IDT電極,其配置在所述第1基板上,朝向所述檢測部產生第1彈性波;以及
檢測第2IDT電極,其配置在所述第1基板上,接受通過了所述檢測部的所述第1彈性波。
6.根據權利要求5所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述檢測信號是由所述檢測第2IDT電極接受通過了所述檢測部的所述第1彈性波而獲得的交流信號。
7.根據權利要求1所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述參考信號輸出部包括:
第2基板,其具有壓電性;
參考部,其配置在所述第2基板上,不吸附所述靶物或者不與所述靶物反應;
參考第1IDT電極,其配置在所述第2基板上,朝向所述參考部產生第2彈性波;和
參考第2IDT電極,其配置在所述第2基板上,接受通過了所述參考部的所述第2彈性波。
8.根據權利要求7所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述參考信號是由所述參考第2IDT電極接受通過了所述參考部的所述第2彈性波而獲得的交流信號。
9.根據權利要求7或8所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述第1基板與所述第2基板一體地形成,
在所述檢測部、所述檢測第1IDT電極以及所述檢測第2IDT電極所配置的檢測元件區域與所述參考部、所述參考第1IDT電極以及所述參考第2IDT電極所配置的參考元件區域之間,還具備基準電位線。
10.根據權利要求9所述的檢體傳感器,其特征在于,
所述檢測第1IDT電極、所述檢測第2IDT電極、所述參考第1IDT電極以及所述參考第2IDT電極分別由一對梳齒狀電極構成,所述一對梳齒狀電極的一方分別連接于所述基準電位線。
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