[發(fā)明專利]一種IGBT模塊的寄生電感提取方法和裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710797220.5
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107766609A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張喆;李現(xiàn)兵;張朋;林仲康;石浩;韓榮剛;田麗紛;武偉
• 申請（專利權(quán)）人: 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11250
• 代理人: 吳黎

1.一種IGBT模塊的寄生電感提取方法，其特征在于，包括：

建立IGBT模塊的阻抗等效模型；

獲取所述阻抗等效模型中每個支路的端阻抗；

根據(jù)所述端阻抗計(jì)算所述IGBT模塊的寄生電感。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT模塊的寄生電感提取方法，其特征在于，所述建立IGBT模塊的阻抗等效模型包括：

獲取所述IGBT模塊中IGBT芯片的等效門極電路；

根據(jù)所述等效門極電路和所述IGBT模塊中IGBT芯片的排列布局獲得所述IGBT模塊的三端阻抗網(wǎng)絡(luò)等效模型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT模塊的寄生電感提取方法，其特征在于，所述獲取所述阻抗等效模型中每個支路的端阻抗包括：

分別測量包含有IGBT晶體管的每個支路的端阻抗。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT模塊的寄生電感提取方法，其特征在于，所述根據(jù)所述端阻抗計(jì)算所述IGBT模塊的寄生電感包括：

根據(jù)所述每個支路的端阻抗計(jì)算得到所述每個支路的寄生電感。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的IGBT模塊的寄生電感提取方法，其特征在于，在獲取所述阻抗等效模型中每個支路的端阻抗的過程中還包括：

剔除僅包含電感的支路的端阻抗。

6.一種IGBT模塊的寄生電感提取裝置，其特征在于，包括：

建立模塊，用于建立IGBT模塊的阻抗等效模型；

獲取模塊，用于獲取所述阻抗等效模型中每個支路的端阻抗；

計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述端阻抗計(jì)算所述IGBT模塊的寄生電感。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT模塊的寄生電感提取裝置，其特征在于，所述建立IGBT模塊的阻抗等效模型包括：

獲取所述IGBT模塊中IGBT芯片的等效門極電路；

根據(jù)所述等效門極電路和所述IGBT模塊中IGBT芯片的排列布局獲得所述IGBT模塊的三端阻抗網(wǎng)絡(luò)等效模型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IGBT模塊的寄生電感提取裝置，其特征在于，所述獲取所述阻抗等效模型中每個支路的端阻抗包括：

分別測量包含有IGBT晶體管的每個支路的端阻抗。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IGBT模塊的寄生電感提取裝置，其特征在于，所述根據(jù)所述端阻抗計(jì)算所述IGBT模塊的寄生電感包括：

根據(jù)所述每個支路的端阻抗計(jì)算得到所述每個支路的寄生電感。

10.根據(jù)權(quán)利要求6-9中任一項(xiàng)所述的IGBT模塊的寄生電感提取裝置，其特征在于，在獲取所述阻抗等效模型中每個支路的端阻抗的過程中還包括：

剔除僅包含電感的支路的端阻抗。