[發(fā)明專利]靈活多電平無橋功率因數(shù)校正變換器及調(diào)制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710796899.6 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN107453597B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宮力;蔣云昊;丁穩(wěn)房;席自強 | 申請(專利權)人: | 湖北工業(yè)大學 |
| 主分類號: | H02M1/42 | 分類號: | H02M1/42 |
| 代理公司: | 武漢開元知識產(chǎn)權代理有限公司 42104 | 代理人: | 王和平;張繼巍 |
| 地址: | 430068 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靈活 電平 功率因數(shù) 校正 變換器 調(diào)制 方法 | ||
1.一種靈活多電平無橋功率因數(shù)校正變換器的調(diào)制方法,靈活多電平無橋功率因數(shù)校正變換器包括交流電感部分(110)、電力電子開關網(wǎng)絡(120)和直流電容部分(130);
所述電力電子開關網(wǎng)絡(120)包含N溝道MOSFET開關管S1、N溝道MOSFET開關管S2、N溝道MOSFET開關管S3、N溝道MOSFET開關管S4、N溝道MOSFET開關管S5及N溝道MOSFET開關管S6,以及二極管D1和二極管D2;其中,二極管D1陽極連接到N溝道MOSFET開關管S1漏極,N溝道MOSFET開關管S1源極連接到N溝道MOSFET開關管S2漏極,N溝道MOSFET開關管S2源極連接到N溝道MOSFET開關管S4源極;二極管D2陽極連接到N溝道MOSFET開關管S3漏極,N溝道MOSFET開關管S3源極連接到N溝道MOSFET開關管S4漏極;二極管D1陰極連接到二極管D2陰極;N溝道MOSFET開關管S5源極連接到N溝道MOSFET開關管S3源極,N溝道MOSFET開關管S5漏極連接到直流電容部分(130)中點;N溝道MOSFET開關管S6源極連接到N溝道MOSFET開關管S1源極,N溝道MOSFET開關管S6漏極連接到直流電容部分(130)中點;
所述直流電容部分(130)包括兩個串聯(lián)的電容C1和電容C2;其中,電容C1的正極連接到二極管D2的陰極,電容C1的負極連接到電容C2正極、N溝道MOSFET開關管S5漏極和N溝道MOSFET開關管S6漏極的接點;電容C2的負極連接到N溝道MOSFET開關管S2源極和N溝道MOSFET開關管S4源極的接點;
所述交流電感部分(110)包含電感L1和電感L2;其中,電感L1的一端連接于N溝道MOSFET開關管S1漏極和二極管D1陽極的接點,電感L1的另一端連接于Vs的一端,而Vs的另一端連接于電感L2的一端,而電感L2的另一端連接于N溝道MOSFET開關管S3漏極和二極管D2陽極的接點,且電感L1的電感量與電感L2的電感量相等,其中,Vs為電源電壓;其特征在于:所述調(diào)制方法如下:
當電容C1、電容C2電壓滿足的條件時,變換器為五電平工作狀態(tài);
當電容C1、電容C2電壓滿足的條件時,變換器為七電平工作狀態(tài);
其中,V0為輸出負載RL電壓,負載RL的一端連接在C1的正極相連,負載RL的另一端連接在C2的負極相連。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





