[發明專利]存儲設備及其控制方法

有效

• 申請號: 201710796440.6
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN108630266B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 藤野賴信;初田幸輔;長田佳晃
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

本發明的實施方式提供一種高品質的存儲設備及其控制方法。實施方式的存儲設備具備存儲單元及第1電路，所述第1電路對存儲單元進行第1讀出，產生第1電壓，對已進行第1讀出的存儲單元寫入第1數據，對寫入有第1數據的存儲單元進行第2讀出，產生第2電壓，產生基于第1電壓的第1電流，產生基于第2電壓的第2電流，通過對第1電流或第2電流加入第3電流，判定在第1讀出時存儲在存儲單元中的數據。

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2017-59583號(申請日：2017年3月24日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本實施方式涉及一種存儲設備及其控制方法。

背景技術

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲器)是一種存儲信息的存儲單元使用了具有磁阻效應(Magnetoresistive effect)的磁性元件的存儲設備。MRAM作為以高速動作、大容量、非易失性為特征的下一代存儲設備備受關注。另外，正不斷研究并開發利用MRAM來替換DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器)或SRAM(Static Random Access Memory，靜態隨機存取存儲器)等易失性存儲器。這種情況下，要控制開發成本且順利地進行替代，理想的是，讓MRAM以和DRAM及SRAM相同的規格動作。

發明內容

本發明的實施方式提供一種高品質的存儲設備及其控制方法。

實施方式的存儲設備具備存儲單元及第1電路，所述第1電路對存儲單元進行第1讀出，產生第1電壓，對已進行第1讀出的存儲單元寫入第1數據，對寫入有第1數據的存儲單元進行第2讀出，產生第2電壓，產生基于第1電壓的第1電流，產生基于第2電壓的第2電流，并向第1電流或第2電流加入第3電流，由此判定在第1讀出時存儲在存儲單元中的數據。

附圖說明

圖1是表示包含第1實施方式的存儲設備的存儲系統的框圖。

圖2是表示第1實施方式的存儲設備的存儲器陣列的電路圖。

圖3是表示第1實施方式的存儲設備的存儲單元的基本構成的圖。

圖4是表示第1實施方式的存儲設備的讀出放大器/寫入驅動器的框圖。

圖5是表示第1實施方式的存儲設備的前置放大器的電路圖。

圖6是表示第1實施方式的存儲設備的讀出放大器的電路圖。

圖7是表示包含第1實施方式的存儲設備的存儲系統的讀出動作的流程圖。

圖8是第1實施方式的存儲系統的讀出動作時的波形圖。

圖9是表示第1讀出動作中的第1實施方式的存儲設備的前置放大器的動作的電路圖。

圖10是表示第2讀出動作中的第1實施方式的存儲設備的前置放大器的動作的電路圖。

圖11是表示判定動作中的第1實施方式的存儲設備的讀出放大器的動作的電路圖。

圖12是表示第1讀出時的晶體管M1的特性與存儲單元的特性的關系，并且表示第2讀出時的晶體管M1的特性與存儲單元的特性的關系的圖。

圖13是表示第2讀出動作后的各電壓的關系的曲線圖。

圖14是表示在第1讀出動作時存儲單元存儲著“1”數據的情況下的在讀出放大器內產生的各電流及電壓的圖。

圖15是表示在第1讀出動作時存儲單元存儲著“0”數據的情況下的在讀出放大器內產生的各電流及電壓的圖。