[發(fā)明專利]一種具有微結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710796298.5 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107611188A | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭壽;馬立云;姚婷婷;李剛;楊勇;湯永康;沈洪雪;金克武;王天齊;彭賽奧;甘治平 | 申請(專利權(quán))人: | 蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0236 | 分類號(hào): | H01L31/0236;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所34113 | 代理人: | 陳俊 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 微結(jié)構(gòu) 多層 透明 導(dǎo)電 玻璃 制備 方法 | ||
1.一種具有微結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、采用射頻磁控濺射工藝,在玻璃襯底表面室溫下濺射生長下ZnO基薄膜;
S2、采用線棒刮涂法,在下ZnO基薄膜表面制備單層離散分布的聚苯乙烯小球掩膜層;
S3、采用射頻磁控濺射工藝,利用聚苯乙烯小球掩膜層作為掩膜,在下ZnO基薄膜表面室溫下濺射生長上ZnO基薄膜;上ZnO基薄膜的厚度小于聚苯乙烯小球的直徑;
S4、通過乙醇浸泡處理,去除聚苯乙烯小球掩膜層以及聚苯乙烯小球掩膜層上方的ZnO基薄膜,使上ZnO基薄膜表面形成一組離散分布的球坑,得到表面呈凹凸織構(gòu)化結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有微結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃制備方法,其特征在于,所述步驟S1采用ZnO基陶瓷靶材,采用Ar離子做為濺射氣體,射頻電源作用于陰極,射頻電源濺射功率為150~250W,工作壓強(qiáng)為0.2Pa,靶電壓為62~87V,玻璃襯底與靶材的間距為70mm,得到下ZnO基薄膜的厚度為600±50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種具有微結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃制備方法,其特征在于,所述步驟S2中聚苯乙烯小球掩膜層的濃度為0.1~0.5%wt,聚苯乙烯小球直徑為300~1000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種具有微結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃制備方法,其特征在于,所述步驟S3采用ZnO基陶瓷靶材,采用Ar離子做為濺射氣體,射頻電源作用于陰極,射頻電源濺射功率為150~250W,工作壓強(qiáng)為0.2Pa,靶電壓為62~87V,玻璃襯底與靶材的間距為70mm,得到上ZnO基薄膜的厚度為200±50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種具有微結(jié)構(gòu)的多層膜透明導(dǎo)電玻璃制備方法,其特征在于,所述步驟S4在室溫下將制備好上ZnO基薄膜的玻璃襯底浸入乙醇浸泡處理,聚苯乙烯小球掩膜層以及聚苯乙烯小球掩膜層上方的ZnO基薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





