[發明專利]一種蝕刻工藝

在審

• 申請號: 201710795800.0
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107660079A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 張文平
• 申請（專利權）人: 江門市澤天達科技有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 譚曉欣

技術領域

本發明涉及電路板制作領域，具體而言，涉及一種蝕刻工藝。

背景技術

目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。傳統的蝕刻步驟包括選擇曝光、顯影、蝕刻、去膠，在印刷電路板制造工藝中，蝕刻工藝占有很重要的位置，隨著電子技術及計算機技術的迅速發展，對半導體存儲器的容量提出了新的高要求，對現代印刷電路板要求越來越細密，傳統的蝕刻步驟已難以滿足高密度、細線路、細孔徑的技術要求。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的上述技術問題之一。為此，本發明提出一種蝕刻工藝，使基板經過兩重蝕刻，提高線路的蝕刻質量，滿足高密度、細線路、細孔徑的技術要求。

為實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種蝕刻工藝，包括以下步驟：A)利用鹽酸溶液對基板進行第一次蝕刻；B)利用次氯酸溶液對步驟A)中的基板進行第二次蝕刻； C)把步驟B)中的基板放置在溢流水箱里進行清洗；D)利用清水把步驟C)中的基板進行清洗；E)把步驟D)中的基板放置在加熱風箱里進行烘干。

根據上述技術方案進行進一步的改進，步驟A)中的鹽酸溶液的酸度設置為2.5-4N。

根據上述技術方案進行進一步的改進，次氯酸溶液設置為次氯酸鈉溶液，次氯酸鈉溶液的氯離子含量設置為210-250g/L。

根據上述技術方案進行進一步的改進，鹽酸溶液或次氯酸溶液的溫度設置為48-55攝氏度。

根據上述技術方案進行進一步的改進，第一次蝕刻或第二次蝕刻的方式設置為雙面高壓噴淋，雙面高壓噴淋的壓力設置為：上噴壓： 2±0.2千克每平方厘米；下噴壓：1.5±0.2千克每平方厘米。

根據上述技術方案進行進一步的改進，步驟C)或步驟B)中的清洗水壓設置為1-2千克每平方厘米。

本發明的有益效果是：本發明公開了一種一種蝕刻工藝，經過多種溶液的兩次蝕刻，在經過多重循環的溢流水清洗，并對其進行高溫烘干，提高了蝕刻的質量，符合高密度、細線路、細孔徑的技術要求。

具體實施方式

下面詳細描述本發明的實施例，旨在用于解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。

一種蝕刻工藝，包括以下步驟：

A)利用鹽酸溶液對基板進行第一次蝕刻；

B)利用次氯酸溶液對步驟A)中的基板進行第二次蝕刻；

C)把步驟B)中的基板放置在溢流水箱里進行清洗；

D)利用清水把步驟C)中的基板進行清洗；

E)把步驟D)中的基板放置在加熱風箱里進行烘干。

根據上述技術方案進行進一步的改進，步驟A)中的鹽酸溶液的酸度設置為2.5-4N。

根據上述技術方案進行進一步的改進，次氯酸溶液設置為次氯酸鈉溶液，次氯酸鈉溶液的氯離子含量設置為210-250g/L。

根據上述技術方案進行進一步的改進，鹽酸溶液或次氯酸溶液的溫度設置為48-55攝氏度。

根據上述技術方案進行進一步的改進，第一次蝕刻或第二次蝕刻的方式設置為雙面高壓噴淋，雙面高壓噴淋的壓力設置為：上噴壓： 2±0.2千克每平方厘米；下噴壓：1.5±0.2千克每平方厘米。

根據上述技術方案進行進一步的改進，步驟C)或步驟B)中的清洗水壓設置為1-2千克每平方厘米。

實施例1

一種蝕刻工藝，包括以下步驟：

A)利用鹽酸溶液對基板進行第一次蝕刻，鹽酸溶液的酸度設置為2.5N；

B)利用次氯酸溶液對步驟A)中的基板進行第二次蝕刻，次氯酸鈉溶液的氯離子含量設置為210g/L；

其中A)和B)中的蝕刻方式為雙面高壓噴淋，雙面高壓噴淋的壓力設置為：上噴壓：1.8千克每平方厘米；下噴壓：1.3千克每平方厘米。

C)把步驟B)中的基板放置在溢流水箱里進行清洗；

D)利用清水把步驟C)中的基板進行清洗；

其中，C)或B)中的清洗水壓設置為1千克每平方厘米。

E)把步驟D)中的基板放置在加熱風箱里進行烘干。

實施例2

一種蝕刻工藝，包括以下步驟：

A)利用鹽酸溶液對基板進行第一次蝕刻，鹽酸溶液的酸度設置為4N；

B)利用次氯酸溶液對步驟A)中的基板進行第二次蝕刻，次氯酸鈉溶液的氯離子含量設置為250g/L；