[發明專利]一種表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃制備方法

在審

• 申請號: 201710795789.8
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107579135A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 彭壽;馬立云;姚婷婷;李剛;楊勇;湯永康;沈洪雪;金克武;王天齊;彭賽奧;甘治平
• 申請（專利權）人: 蚌埠玻璃工業設計研究院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0224
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所34113
• 代理人: 陳俊

1.一種表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、采用射頻磁控濺射工藝，在玻璃襯底表面室溫下濺射生長ZnO基薄膜；

S2、采用線棒刮涂法，在ZnO基薄膜表面制備單層離散分布的聚苯乙烯小球掩膜層；

S3、采用反應等離子體刻蝕技術對帶有掩膜的ZnO基薄膜進行刻蝕，使ZnO基薄膜表面形成凹凸的織構化結構；

S4、將刻蝕好的ZnO基薄膜退火處理，去除聚苯乙烯小球掩膜，最終得到表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃。

2.根據權利要求1所述的一種表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃制備方法，其特征在于，所述步驟S1的射頻磁控濺射工藝采用ZnO基陶瓷靶材，Ar離子做為濺射氣體，射頻電源作用于陰極，射頻電源濺射功率為150～250W，工作壓強為0.2Pa，靶電壓為62～87V，玻璃襯底與靶材的間距為70mm，制備得到ZnO基薄膜的厚度為800±50nm。

3.根據權利要求1所述的一種表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃制備方法，其特征在于，所述步驟S2中聚苯乙烯小球的濃度為0.1～0.5%wt，直徑為300～1000nm。

4.根據權利要求1所述的一種表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃制備方法，其特征在于，所述步驟S3的反應等離子體刻蝕采用流量30sccm氯氣作為反應氣體，工作壓強為1～2Pa，功率為50～250W。

5.根據權利要求1所述的一種表面具有微結構的ZnO基透明導電玻璃制備方法，其特征在于，所述步驟S4退火溫度為500℃，退火時間60min。