[發明專利]標靶燃料產生器及供應標靶燃料的方法

有效

• 申請號: 201710794556.6
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN109461671B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 鐘仁陽;謝劼;簡上杰;陳立銳;鄭博中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本發明部分實施例提供一種標靶燃料產生器及供應標靶燃料的方法。標靶燃料產生器包括一儲存組件和噴嘴組件。儲存組件具有一流道。標靶燃料產生器還包括一噴嘴組件。噴嘴組件以可旋轉于一第一旋轉角度與一第二旋轉角度的方式連結儲存組件。并且，噴嘴組件包括一第一噴嘴頭以及一第二噴嘴頭。在第一旋轉位置上，第一噴嘴頭連結流道且第二噴嘴頭與流道分離，并且在第二旋轉位置上，第二噴嘴頭連通流道且第一噴嘴頭與流道分離。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體晶圓生產設備中用于供應標靶燃料以產生放射光束的標靶燃料產生器及供應標靶燃料的方法。

背景技術

半導體集成電路工業已歷經蓬勃發展的階段。集成電路燃料及設計在技術上的進步使得每一代生產的集成電路變得比先前生產的集成電路更小且其電路也變得更復雜。在集成電路發展的進程中，功能性密度(例如：每一個晶片區域中內連接裝置的數目)已經普遍增加，而幾何尺寸(例如：制造過程中所能創造出最小的元件(或線路))則是普遍下降。這種微縮化的過程通常可通過增加生產效率及降低相關支出提供許多利益。

然而，此種微縮化也增加了集成電路加工和制造上的復雜度。為了實現這樣的進展，集成電路加工和制造上也需要有相同的進步。

光微影技術是一種利用光照射具有圖案的主光罩來將圖案轉印到覆蓋在半導體基板上感光燃料上的工藝。在半導體工業的歷史上，已通過減小光學微影輻射源的曝光波長改良光微影解析度來實現更小的集成晶片的最小特征尺寸。在較高解析度的光微影技術中，極紫外線(Extreme ultraviolet；EUV)微影術使用具有10nm與130nm之間的曝光波長的極紫外線(EUV)光，是對于新興技術節點(例如，32nm、22nm、14nm等)具有前景的下一代光微影解決方案。

雖然現有的光微影技術通常已經足以實現預期目的，但仍不能在所有方面完全滿足。

發明內容

本發明實施例的主要目的在于提供一種標靶燃料產生器，以通過改變供給標靶燃料的噴嘴頭，使標靶燃料依照既定參數繼續供應。

本發明實施例的另一目的在于提供一種供應一標靶燃料的方法，以通過改變供給標靶燃料的噴嘴頭，使標靶燃料依照既定參數繼續供應。

本發明部分實施例提供一種標靶燃料產生器。標靶燃料產生器包括一儲存組件。儲存組件具有一流道。標靶燃料產生器還包括一噴嘴組件。噴嘴組件以可旋轉于一第一旋轉位置與一第二旋轉位置的方式連結儲存組件。并且，噴嘴組件包括一第一噴嘴頭以及一第二噴嘴頭。在第一旋轉位置上，第一噴嘴頭連結流道且第二噴嘴頭與流道分離，并且在第二旋轉位置上，第二噴嘴頭連通流道且第一噴嘴頭與流道分離。

本發明部分實施例提供一種供應一標靶燃料的方法。上述方法包括連結設置于一轉盤的一第一噴嘴頭至一儲存組件的一流道。上述方法還包括通過儲存組件的流道以及第一噴嘴頭供應一標靶燃料進入一激發區。上述方法也包括監測來自第一噴嘴頭的標靶燃料在激發區中的特性，并根據監測結果產生一檢測信號。另外，上述方法包括當檢測信號超過一門檻值時，停止供應來自第一噴嘴頭的標靶燃料。上述方法還包括旋轉轉盤，以連結設置于轉盤的一第二噴嘴頭至儲存組件的流道。上述方法還包括通過儲存組件的流道以及第二噴嘴頭供應標靶燃料進入激發區。

本發明實施例提供的標靶燃料產生器和供應一標靶燃料的方法的優點和有益效果在于：

本發明實施例提供的標靶燃料產生器可在標靶燃料的供應發生異常時，通過改變供給標靶燃料的噴嘴頭，使標靶燃料依照既定參數繼續供應。由于標靶燃料產生器可以穩定供應標靶燃料，每一標靶燃料皆可受激光光束激發而發出預設能量對半導體基板表面上方的光阻進行曝光。于是，半導體基板的產品良率可以獲得提升。另一方面，由于使用標靶燃料產生器的曝光系統不需時常停機進行保養或維修，曝光系統在單位時間下可產出的產品數量也可獲得增加。

附圖說明

圖1為根據本發明部分實施例的曝光系統的示意圖。