[發明專利]制程零件、半導體制造設備及半導體制造方法

有效

• 申請號: 201710794548.1
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN109457224B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 黃永昌;蔡瑞龍
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

公開提供一種制程零件，適用于一沉積制程設備。上述制程零件包括一中空環形結構、多個第一溝槽及多個第二溝槽。中空環形結構具有一環形表面。第一溝槽與第二溝槽形成于環形表面上，且第一溝槽與第二溝槽相交而形成一網狀圖案。

技術領域

本發明實施例關于一種半導體技術，特別是有關于一種可改善沉積制程的制程零件、半導體制造設備及半導體制造方法。

背景技術

半導體裝置被用于多種電子應用，例如個人電腦、移動電話、數碼相機以及其他電子設備。半導體裝置的制造通常是通過在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層材料、導電層材料以及半導體層材料，接著使用微影制程圖案化所形成的各種材料層，以形成電路組件和零件于此半導體基板之上。

舉例來說，濺鍍法(sputtering)是一種物理氣相沉積方法(physical vapordeposition)，可以被廣泛用于沉積金屬層材料或薄膜。濺鍍法的工作原理乃是通過在一接近真空的密閉腔室中通入少量的惰性氣體(通常使用氬氣(Ar))，然后在陽極和陰極間施加高電壓使氣體解離產生等離子體(plasma)，接著解離的氬氣離子(Ar⁺)以高能量射至陰極的金屬靶材上，使靶材表面的金屬粒子被撞擊下來并沉積在基板表面上。

雖然現有的沉積技術及設備已經足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，需要提供一種改善沉積制程的方案。

發明內容

本公開一些實施例提供一種制程零件，適用于一沉積制程設備，包括一中空環形結構、多個第一溝槽及多個第二溝槽。中空環形結構具有一環形表面。第一溝槽與第二溝槽形成于環形表面上，且第一溝槽與第二溝槽相交而形成一網狀圖案。

本公開一些實施例提供一種半導體制造設備，包括一制程腔室及一制程零件。制程零件設置于制程腔室內，用以在制造過程中減少制程材料沉積于制程腔室的一內壁表面及/或一基板承載平臺上。制程零件朝向一靶材元件的一表面上具有多個第一溝槽及多個第二溝槽，且第一溝槽與第二溝槽相交而形成一網狀圖案。

本公開一些實施例提供一種半導體制造方法，包括放置一基板于一制程腔室中。上述方法還包括對基板進行一沉積制程。此外，上述方法包括在沉積制程中，通過制程腔室內的一制程零件以減少制程材料沉積于制程腔室內的一或多個部件上，其中，制程零件的一表面上具有多個第一溝槽及多個第二溝槽，且第一溝槽與第二溝槽相交而形成一網狀圖案。

附圖說明

圖1顯示根據一些實施例的一半導體制造設備的示意圖。

圖2顯示根據一些實施例的沉積環的上視圖。

圖3顯示圖2的沉積環的局部立體圖。

圖4A至4D分別顯示根據一些實施例的沉積環上的溝槽的截面示意圖。

圖5A及5B顯示分別根據一些實施例的沉積環上的溝槽的制作方法示意圖。

圖6顯示根據一些實施例的覆蓋環的局部上視圖。

圖7顯示根據一些實施例的覆蓋環的局部上視圖。

圖8顯示根據一些實施例的一半導體制造方法的流程圖。

【符號說明】

1～半導體制造設備；

10～制程腔室；

10A～外殼；

10B～上開口；

10C～內壁表面；

10D～凸緣；

11～承載平臺；

11A～機軸；

11B～驅動機構；