[發明專利]集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法在審
| 申請號: | 201710792549.2 | 申請日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN107452728A | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;林正忠 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 羅泳文 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成 圖像傳感器 芯片 邏輯 封裝 方法 | ||
1.一種集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于,所述封裝方法包括:
1)提供一支撐襯底,于所述支撐襯底表面形成分離層;
2)提供圖像傳感器芯片及邏輯芯片,將所述圖像傳感器芯片及邏輯芯片粘附于所述分離層上,其中,所述圖像傳感器芯片及邏輯芯片具有電引出結構的一面朝向所述分離層;
3)采用封裝材料對所述圖像傳感器芯片及邏輯芯片進行封裝;
4)基于所述分離層分離所述封裝材料與所述支撐襯底;
5)于所述封裝材料、圖像傳感器芯片及邏輯芯片上制作重新布線層;
6)于所述封裝材料中形成直至所述重新布線層的穿孔,并于所述穿孔中制作金屬引線結構,以實現所述重新布線層、所述圖像傳感器芯片與所述邏輯芯片的電性引出;
7)于所述重新布線層上封裝透明蓋板。
2.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:所述支撐襯底包括玻璃襯底、金屬襯底、半導體襯底、聚合物襯底及陶瓷襯底中的一種;所述分離層包括膠帶及聚合物層中的一種,所述聚合物層首先采用旋涂工藝涂覆于所述支撐襯底表面,然后采用紫外固化或熱固化工藝使其固化成型。
3.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:所述金屬引線結構包括金屬柱、焊料球、及金屬柱與焊料凸點所組成的疊層中的一種。
4.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:所述金屬引線結構的高度大于所述圖像傳感器芯片及邏輯芯片的厚度。
5.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:所述圖像傳感器芯片包括基底,形成于所述基底上的圖像識別區域以及形成于所述基底邊緣區域的焊盤,所述焊盤與所述圖像識別區域電性連接,所述圖像識別區域完全露出于所述重新布線層。
6.根據權利要求5所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:步驟5)中,先于所述圖像傳感器芯片的圖像識別區域覆蓋光刻膠,然后再制作所述重新布線層。
7.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:步驟3)采用封裝材料封裝所述圖像傳感器芯片及邏輯芯片的方法包括壓縮成型、傳遞模塑成型、液封成型、真空層壓及旋涂中的一種,所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環氧樹脂中的一種。
8.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:步驟5)制作所述重新布線層為交替進行如下步驟:
采用化學氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝于所述圖像傳感器芯片、邏輯芯片及封裝材料的平面形成介質層,并對所述介質層進行刻蝕形成圖形化的介質層;
采用化學氣相沉積工藝、蒸鍍工藝、濺射工藝、電鍍工藝或化學鍍工藝于所述圖形化介質層表面形成金屬層,并對所述金屬層進行刻蝕形成圖形化的金屬布線層。
9.根據權利要求8所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:所述介質層的材料包括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一種或兩種以上組合,所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。
10.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:所述透明蓋板基于金錫鍵合層封裝于所述重新布線層上,所述透明蓋板、所述重新布線層與封裝材料形成所述圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝腔。
11.根據權利要求1所述的集成圖像傳感器芯片及邏輯芯片的封裝方法,其特征在于:步驟6)中,采用激光穿孔工藝于所述封裝材料中形成直至所述重新布線層的穿孔。
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