[發明專利]一種基于MOF的三元納米復合材料的制備方法和應用有效
| 申請號: | 201710792048.4 | 申請日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN107589160B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 王志玲;劉志蓮;鄭魯沂;崔玉;楊小鳳 | 申請(專利權)人: | 濟南大學 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30;G01N27/48 |
| 代理公司: | 濟南譽豐專利代理事務所(普通合伙企業) 37240 | 代理人: | 高強 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 mof 三元 納米 復合材料 制備 方法 應用 | ||
1.一種基于MOF的三元納米復合材料的制備方法,其特征在于,步驟如下:
(1)制備g-C3N4@MOF納米晶體
將0.34-0.45g AgClO4和0.068-0.090g石墨相氮化碳g-C3N4溶于1-1.5mL水,得到g-C3N4@Ag(I)水溶液;將0.45g配體L溶于1-2mL甲醇,得到配體L的甲醇溶液;將g-C3N4@Ag(I)水溶液與配體L的甲醇溶液振搖共混,靜置2-3h,離心分離并用甲醇洗滌3次,制得g-C3N4@MOF納米晶體;
所述石墨相氮化碳g-C3N4,制備方法如下:
將3g雙氰胺放入坩堝中,壓實,置于管式爐中空氣氛煅燒,升溫速率為2.3℃/min,升至500℃、保溫4h,自然冷卻,制得石墨相氮化碳g-C3N4;
所述配體L,構造式如下:
配體L的制備步驟如下:
攪拌條件下,將0.10mol的1,2-乙二胺與0.20mol的3-吡啶甲酸混合,加熱分餾,維持分餾柱頂的溫度103-105℃,當分餾柱頂溫度下降,表明反應已完成,將混合液冷卻到10-20℃,抽濾,并用乙醇洗滌三次,用乙醇重結晶,得到配體L,產率65%;
(2)制備g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料
將制得的g-C3N4@MOF納米晶體,加入4-6mL、質量分數為5%的KBr乙醇溶液,混勻,室溫靜置24h,離心分離并用乙醇洗滌3次,70℃干燥,制得g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料,即基于MOF的三元納米復合材料;
所述g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料,是g-C3N4@MOF納米晶體負載Ag納米粒子構成的三元復合材料;Ag納米粒子的平均粒徑為4nm;
所述g-C3N4@MOF納米晶體,是2D褶皺層層疊加的石墨相氮化碳負載MOF納米晶體構成的二元復合材料;MOF納米晶體的化學式為[(AgL)ClO4]n,一個結構單元由1個Ag(I)陽離子中心、1個配體L、1個ClO4(I)陰離子組成;MOF納米晶體,粒徑為70-90nm。
2.如權利要求1所述制備方法制備的基于MOF的三元納米復合材料作為電化學傳感檢測青霉胺對映體的應用。
3.如權利要求2所述的電化學傳感檢測青霉胺對映體的應用,其特征在于,步驟如下:
(1)制備g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料傳感器工作電極
在氧化鋁粉末已拋光、水和乙醇清洗潔凈的基底電極玻碳電極表面,滴涂6uL g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料溶液,室溫晾干,即制得了g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料構建的傳感器工作電極;
所述g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料溶液,是將3mg的g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料與250uL異丙醇、720uL水、30uL Nafion共混超聲10-15min制得;
(2)制備g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料電化學傳感器
將步驟(1)制得的工作電極、參比電極和對電極連接在電化學工作站上,制得了g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料電化學傳感器;
所述參比電極為飽和甘汞電極,對電極為鉑絲電極;
(3)檢測D-(-)-青霉胺和L-(+)-青霉胺對映體
以pH7、0.1mol·L-1的的磷酸鹽緩沖溶液PBS,采用步驟(2)制得的g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料電化學手性傳感器,采用差分脈沖伏安法,分別測定不同濃度的D-(-)-青霉胺和L-(+)-青霉胺標準溶液的電流值,繪制g-C3N4@MOF@Ag納米復合材料傳感器的D-(-)-青霉胺和L-(+)-青霉胺對映體工作曲線;將待測樣品D-(-)-青霉胺和L-(+)-青霉胺溶液分別代替D-(-)-青霉胺或L-(+)-青霉胺標準溶液,進行樣品中D-(-)-青霉胺和L-(+)-青霉胺含量的檢測。
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