[發明專利]一種數字可調的帶隙基準電路有效
| 申請號: | 201710790805.4 | 申請日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN107544600B | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發明(設計)人: | 董海;文治平;王宗民;張鐵良;彭新芒;侯賀剛;管海濤;王金豪;任艷;張雷 | 申請(專利權)人: | 北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 范曉毅 |
| 地址: | 100076 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 數字 可調 基準 電路 | ||
1.一種數字可調的帶隙基準電路,其特征在于,包括:正溫度系數電流生成電路、數字可調負溫度系數電流生成電路和數字可調電阻串電路;
正溫度系數電流生成電路,用于產生正溫度系數電流Ip和偏置電壓U1;
數字可調負溫度系數電流生成電路,用于接收第一控制信號,根據所述偏置電壓U1和所述第一控制信號,生成數字可調的負溫度系數電流In;以及,對正溫度系數電流Ip和負溫度系數電流In進行加和處理,輸出電流I;
數字可調電阻串電路,用于接收第二控制信號,根據所述電流I和所述第二控制信號,控制串聯連入的電阻值,實現對輸出電壓Vref的控制;
其中,
正溫度系數電流生成電路,包括:PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NPN晶體管B1、NPN晶體管B2、NPN晶體管B3、NPN晶體管B4、電阻R1、電阻R2和電阻R3;
數字可調負溫度系數電流生成電路,包括:第一譯碼電路和負溫度系數電流生成電路;
負溫度系數電流生成電路,包括:PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16、NMOS管M17、NMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M21、NMOS管M22、NMOS管M23、NMOS管M24、NMOS管M25、NMOS管M26、NMOS管M27、NPN晶體管B5、NPN晶體管B6、電阻R4、電阻R5、電阻R6和電阻R7。
2.根據權利要求1所述的數字可調的帶隙基準電路,其特征在于,
PMOS管M1的柵極和PMOS管M2的柵極相連,源極連接VDD,漏極連接NPN晶體管B3的集電極;
電阻R3的一端連接NMOS晶體管M4的柵極,另一端連接GND;
PMOS管M2的漏極和NMOS管M3的漏極、柵極相連,并作為偏置電壓U1的輸出;
NMOS管M3的源極和NPN晶體管B2的發射極、NMOS管M4的漏極相連,并作為正溫度系數電流Ip輸出;
NMOS管M4的源極連接GND;
電阻R1的一端連接VDD,另一端與NPN晶體管B1的集電極、基極和NPN晶體管B2的基極相連;
NPN晶體管B1的發射極和NPN晶體管B3的基極、NPN晶體管B4的基極和集電極相連;
電阻R2的一端連接NPN晶體管B3的發射極,另一端連接GND;
NPN晶體管B4的發射極連接GND。
3.根據權利要求1所述的數字可調的帶隙基準電路,其特征在于,
第一譯碼電路,用于接收四位二進制碼的第一控制信號ADJ1<3:0>,對ADJ1<3:0>進行譯碼,得到控制信號A0、A1、A2、A0N、A1N、A2N和A3N;
負溫度系數電流生成電路,用于根據所述偏置電壓U1以及控制信號A0、A1、A2、A0N、A1N、A2N和A3N,生成數字可調的負溫度系數電流In;以及,對正溫度系數電流Ip和負溫度系數電流In進行加和處理,輸出電流I。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所,未經北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710790805.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種基于單片機的智能液體監控系統
- 下一篇:一種零靜態功耗的啟動電路





