[發明專利]一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜及其制備方法

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• 申請號: 201710789562.2
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN107519870A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 陳東進
• 申請（專利權）人: 東莞市聯洲知識產權運營管理有限公司
• 主分類號: B01J23/50
• 分類號: B01J23/50;B01J23/06;B01J35/04;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;H01L31/0296;H01L31/0352;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 連平

1.一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜，其特征在于：所述鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的結構從下到上依次為鋁箔基底、石墨烯涂層、含蜂窩狀和棒狀的氧化鋅納米墻陣列和鍍銀層，所述石墨烯涂層通過旋涂和退火還原制備，含蜂窩狀和棒狀的氧化鋅納米墻陣列通過射頻磁控法和水熱合成制備，鍍銀層通過射頻磁控法制備。

2.一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將清洗的鋁箔基底表面旋涂氧化石墨烯涂層，真空干燥，得到涂覆氧化石墨烯的基底；

(2)將步驟(1)制備的涂覆氧化石墨烯的基底置于射頻磁控裝置中，以氧氣和氬氣為反應氣體，在0.5-1.2Pa下，濺射，得到鍍有種子層的基底；

(3)將步驟(2)制備的鍍有種子層的基底置于硝酸鋅和六亞甲基四胺的混合溶液中，滴加十二烷基硫醇，密封，在90-100℃下進行水熱反應1-6h，得到含蜂窩狀和棒狀的氧化鋅納米墻陣列的基底；

(4)將步驟(3)制備的含蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米墻陣列的基底在氬氣氛圍下，進行直流濺射鍍銀，退火還原，得到鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜。

3.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中，真空干燥的溫度為60-100℃，時間為1-2h。

4.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中，氧氣的流量為5-50SCCM，氬氣的流量為5-50SCCM，濺射的功率為30-100W，時間為1-10min。

5.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，硝酸鋅和六亞甲基四胺的混合溶液中硝酸鋅和六亞甲基四胺的摩爾比為1:1。

6.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，硝酸鋅和六亞甲基四胺的混合溶液與十二烷基硫醇的體積比為10:0.01-0.1。

7.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，氬氣的流量為5-60SCCM，濺射功率為10-50W，時間為10-60s。

8.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，退火的溫度為200-600℃，時間為1-5h。

9.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的蜂窩狀直徑為1-2μm，介孔為2-6nm，棒狀的直徑為0.5-0.8μm，長度為3-4μm。

10.根據權利要求2所述的一種鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中，鍍銀的蜂窩狀和棒狀氧化鋅納米陣列/石墨烯的復合薄膜用于光催化領域和光電轉換方面的應用。