[發(fā)明專利]一種電荷泵穩(wěn)壓電路以及存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710786634.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109427370B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉曉慶;胡俊;舒清明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C5/14 | 分類號(hào): | G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電荷 穩(wěn)壓 電路 以及 存儲(chǔ)器 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電荷泵穩(wěn)壓電路以及存儲(chǔ)器,所述電荷泵穩(wěn)壓電路包括電荷泵,以及與電荷泵連接的存儲(chǔ)單元,還包括:第一MOS管、第二MOS管、偏置電路;其中,第一MOS管串聯(lián)在電荷泵、存儲(chǔ)單元之間,在第一MOS管與存儲(chǔ)單元之間存在第一支路,第二MOS管位于第一支路中,第二MOS管的柵極與偏置電路的輸出端相連;偏置電路,用于在對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行操作的過(guò)程中,當(dāng)存儲(chǔ)單元的輸入電壓大于第一閾值時(shí),將第二MOS管導(dǎo)通,以使輸入電壓通過(guò)第二MOS管的漏極放電。通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例,實(shí)現(xiàn)了將由于寄生電容拉高的電壓降低,避免了對(duì)存儲(chǔ)單元的輸入電壓被干擾而無(wú)法使用,保證了輸入電壓VPPIN的穩(wěn)定,使得對(duì)存儲(chǔ)單元的讀、寫、擦等操作保持正常。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,特別是涉及一種電荷泵穩(wěn)壓電路,以及一種存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)
目前,在對(duì)存儲(chǔ)單元的讀、寫、擦等操作的過(guò)程中,可以采用NOR FLASH,NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù),應(yīng)用NOR Flash可以提升對(duì)存儲(chǔ)單元的操作的效率,其可以分為Parallel(并行)NOR Flash和SPI(串行)NOR Flash。
應(yīng)用SPI NOR FLASH,在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行操作的過(guò)程時(shí),通常需要高壓的電荷泵實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)單元的控制,電荷泵的輸出電壓可以設(shè)計(jì)成可根據(jù)輸入?yún)?shù)調(diào)控的電壓,從而為不同的芯片選擇不同的電壓。
然而,電荷泵可能連接多個(gè)儲(chǔ)存單元,多個(gè)存儲(chǔ)單元的存在會(huì)形成較大的寄生電容,而較大的寄生電容會(huì)拉高電荷泵的輸出電壓,主流的電荷泵設(shè)計(jì)通常采用將拉高的電壓回流至電荷泵中,但對(duì)于采用二極管分壓接法的電荷泵,由于二極管只允許電流由單一方向通過(guò),從而無(wú)法將拉高的電壓回流至電荷泵中,導(dǎo)致對(duì)存儲(chǔ)單元的輸入電壓不穩(wěn)定,不穩(wěn)定的輸入電壓會(huì)影響對(duì)存儲(chǔ)單元的正常操作,如容易造成過(guò)寫、過(guò)擦除等問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題,提出了本發(fā)明實(shí)施例以便提供克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的一種電荷泵穩(wěn)壓電路以及存儲(chǔ)器。
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例公開了一種電荷泵穩(wěn)壓電路,包括電荷泵,以及與所述電荷泵連接的存儲(chǔ)單元,所述電路還包括:第一MOS管、第二MOS管、偏置電路;
其中,所述第一MOS管串聯(lián)在所述電荷泵、所述存儲(chǔ)單元之間,在所述第一MOS管與所述存儲(chǔ)單元之間存在第一支路,所述第二MOS管位于所述第一支路中,所述第二MOS管的柵極與所述偏置電路的輸出端相連;
所述偏置電路,用于在對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行操作的過(guò)程中,當(dāng)所述存儲(chǔ)單元的輸入電壓大于第一閾值時(shí),將所述第二MOS管導(dǎo)通,以使所述輸入電壓通過(guò)所述第二MOS管的漏極放電。
優(yōu)選地,在所述第一MOS管與所述存儲(chǔ)單元之間存在第二支路,所述電路還包括位于所述第二支路中的鉗位電路,以及與所述鉗位電路的輸出端連接的第三MOS管;
所述鉗位電路,用于在對(duì)所述存儲(chǔ)單元的操作完成時(shí),將所述輸入電壓通過(guò)所述第三MOS管放電后,固定至第二閾值。
優(yōu)選地,在所述第一MOS管與所述存儲(chǔ)單元之間存在第三支路,所述電路還包括位于所述第三支路中的第四MOS管;
所述第四MOS管,用于在所述輸入電壓固定至所述第二閾值時(shí),將所述輸入電壓放電至第三閾值。
優(yōu)選地,所述第二支路與所述第一支路為同一支路,所述第三MOS管與所述第二MOS管并聯(lián)。
優(yōu)選地,所述電路還包括第一使能信號(hào)輸入端,所述第一使能信號(hào)輸入端與所述電荷泵相連。
優(yōu)選地,所述電路還包括與所述第一使能信號(hào)輸入端連接的反相器,與所述反相器連接的非門電路,以及串聯(lián)在所述第一MOS管與所述存儲(chǔ)單元之間的第五MOS管;
其中,所述第五MOS管的源極與所述第一MOS管的柵極、漏極相連,所述第五MOS管的柵極與所述非門電路相連。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司,未經(jīng)北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710786634.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





