[發明專利]有機發光顯示面板、裝置及有機發光顯示面板的制作方法在審
| 申請號: | 201710785669.X | 申請日: | 2017-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN107346779A | 公開(公告)日: | 2017-11-14 |
| 發明(設計)人: | 華萬鳴;王湘成;牛晶華;濱田 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司11444 | 代理人: | 王剛,龔敏 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 面板 裝置 制作方法 | ||
1.一種有機發光顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
設置于所述襯底基板一側的像素定義層和多個發光器件陽極,所述像素定義層中具有多個鏤空區域,每個鏤空區域中設置有一個所述發光器件陽極;所述發光器件陽極呈陣列排布;
無機空穴注入層,位于所述多個發光器件陽極遠離所述襯底基板的一側,所述無機空穴注入層包括與每個所述發光器件陽極對應的無機空穴注入層部分,每個所述無機空穴注入層部分與每個所述發光器件陽極對應設置,且所述無機空穴注入層部分呈陣列排布。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述無機空穴注入層在所述襯底基板上的正投影與所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影無交疊。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在遠離所述襯底基板的方向上,所述無機空穴注入層部分遠離所述襯底基板的一側依次設置有空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在遠離所述襯底基板的方向上,每個發光器件陽極依次包括氧化銦錫材料層、金屬銀材料層和所述氧化銦錫材料層。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述無機空穴注入層對應的材料包括過渡金屬氧化物。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述過渡金屬氧化物包括鉬、鎢或釩的氧化物。
7.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1~6任一項所述的有機發光顯示面板。
8.一種有機發光顯示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
清洗襯底基板;
在襯底基板的一側形成像素定義層和多個發光器件陽極,所述像素定義層中具有多個鏤空區域,每個所述鏤空區域中設置有一個發光器件陽極;
在形成有所述像素定義層以及所述多個發光器件陽極的基板上沉積無機空穴注入材料層;
對特定區域的無機空穴注入材料層進行刻蝕處理,去除所述特定區域的無機空穴注入層材料,形成所述空穴注入層,其中,所述特定區域在所述襯底基板上的正投影與所述多個發光器件陽極在所述襯底基板上的正投影無交疊。
9.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,對特定區域的無機空穴注入材料層進行刻蝕處理,去除所述特定區域的無機空穴注入層材料,形成所述空穴注入層,包括:
在形成有所述無機空穴注入材料層的基板上涂布正性光刻膠;
通過第一掩膜版對所述特定區域的光刻膠進行曝光,去除所述特定區域的正性光刻膠;
對所述特定區域的無機空穴注入材料層進行干刻,去除所述特定區域的無機空穴注入材料層;
剝離所述襯底基板上的正性光刻膠,形成所述無機空穴注入層;
或,
在形成有所述無機空穴注入材料層的基板上涂布負性光刻膠;
通過第二掩膜版對非所述特定區域的光刻膠進行曝光,去除所述特定區域的負性光刻膠;
對所述特定區域的無機空穴注入材料層進行干刻,去除所述特定區域的無機空穴注入材料層;
剝離所述襯底基板上的負性光刻膠,形成所述無機空穴注入層。
10.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,
所述特定區域為所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影區域。
11.根據權利要求8所述的制作方法,其特征在于,
所述無機空穴注入材料層的厚度為10納米。
12.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,若在所述基板上涂布的是正性光刻膠,所述第一掩膜版的透光區在所述基板上的正投影,與所述特定區域在所述基板上的正投影重合;
若在所述基板上涂布的是負性光刻膠,所述第二掩膜版的透光區在所述基板上的正投影,與所述特定區域在所述基板上的正投影無交疊。
13.根據權利要求9所述的制作方法,其特征在于,進行干刻的氣體為SF6。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





