[發(fā)明專(zhuān)利]一種逆變器電路系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710785150.1
• 申請(qǐng)日: 2017-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107592028B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉超;祝明建;張紀(jì)充
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佛山市索爾電子實(shí)業(yè)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M7/5395
• 分類(lèi)號(hào): H02M7/5395;H02M3/335;H02M1/44
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 王國(guó)標(biāo)

本發(fā)明公開(kāi)了一種逆變器電路系統(tǒng)，包括供電電池、第一處理芯片、第二處理芯片、DC?AC模塊、變壓器、AC?DC模塊、逆變模塊、隔離通信模塊、隔離驅(qū)動(dòng)模塊以及輔助電源；逆變模塊是一種包括有4個(gè)第一MOS管的全橋式逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，第二處理芯片通過(guò)隔離驅(qū)動(dòng)模塊分別與4個(gè)第一MOS管柵極相連。本發(fā)明第二處理芯片通過(guò)隔離驅(qū)動(dòng)模塊對(duì)逆變模塊中的第一MOS管進(jìn)行控制驅(qū)動(dòng)，在第一MOS管進(jìn)行高頻率的導(dǎo)通截止時(shí)，第一MOS管寄生參數(shù)所產(chǎn)生的影響由于隔離驅(qū)動(dòng)模塊的作用不會(huì)對(duì)第二處理芯片造成影響，從而保證了逆變器的性能參數(shù)穩(wěn)定。本發(fā)明創(chuàng)造用于將直流電轉(zhuǎn)換成交流電輸出。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，更具體地說(shuō)涉及一種逆變器電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

電池作為常規(guī)的電能供應(yīng)來(lái)源被廣泛地應(yīng)用在各種用電設(shè)備中，但是由于電池輸出的是直流電壓，無(wú)法與交流用電設(shè)備直接相連，需要通過(guò)逆變器將電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換成交流電再輸出到交流用電設(shè)備上。

傳統(tǒng)的逆變器電路中，是通過(guò)處理芯片直接控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與截止，這個(gè)最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)管通斷的方式，但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)方式存在一個(gè)缺陷，就是在開(kāi)關(guān)管在高頻通斷的情況下，容易產(chǎn)生較大的寄生參數(shù)，該寄生參數(shù)容易對(duì)開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電路造成影響，進(jìn)而影響到整個(gè)逆變器電路的性能參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種使用隔離式驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)管通斷的逆變器電路系統(tǒng)。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題的解決方案是：

一種逆變器電路系統(tǒng)，包括供電電池、第一處理芯片、第二處理芯片、DC-AC模塊、變壓器、AC-DC模塊、逆變模塊、隔離通信模塊、隔離驅(qū)動(dòng)模塊以及為電路各部分供電的輔助電源；所述供電電池與輔助電源輸入端相連，所述第一處理芯片通過(guò)隔離通信模塊與第二處理芯片通信連接，所述供電電池與DC-AC模塊輸入端相連，所述DC-AC模塊輸出端與變壓器初級(jí)繞組相連，所述變壓器次級(jí)繞組與AC-DC模塊輸入端相連，所述AC-DC模塊輸出端與逆變模塊輸入端相連，所述逆變模塊的輸出端作為逆變器的電源輸出端，所述第一處理芯片與位于變壓器初級(jí)繞組一側(cè)的電路模塊相連，所述第二處理芯片與變壓器次級(jí)繞組一側(cè)的電路模塊相連；所述逆變模塊是一種包括有4個(gè)第一MOS管的全橋式逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，所述第二處理芯片通過(guò)隔離驅(qū)動(dòng)模塊分別與4個(gè)第一MOS管柵極相連。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述隔離驅(qū)動(dòng)模塊包括兩個(gè)型號(hào)為IR2110S的驅(qū)動(dòng)芯片、三極管Q5、三極管Q6、三極管Q7以及三極管Q8，所述第二處理芯片配置有輸出端SPWM1-1、輸出端SPWM2-2、輸出端SPWM3-3以及輸出端SPWM4-4，所述輸出端SPWM1-1分別與三極管Q5發(fā)射極以及三極管Q6基極相連，所述輸出端SPWM2-2分別與三極管Q5基極與以及三極管Q6發(fā)射極相連，所述輸出端SPWM3-3分別與三極管Q7發(fā)射極以及三極管Q8基極相連，所述輸出端SPWM14-4分別與三極管Q7基極以及三極管Q8發(fā)射極相連，所述三極管Q5、三極管Q6、三極管Q7以及三極管Q8集電極分別與驅(qū)動(dòng)芯片輸入端相連，所述驅(qū)動(dòng)芯片輸出端分別與4個(gè)第一MOS管柵極相連。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，還包括電平轉(zhuǎn)換模塊，所述DC-AC模塊包括兩個(gè)開(kāi)關(guān)管組，每個(gè)開(kāi)關(guān)管組均包括多個(gè)第二MOS管，每個(gè)開(kāi)關(guān)管組中各個(gè)第二MOS管的柵極連接在一起，每個(gè)開(kāi)關(guān)管組中各個(gè)第二MOS管的源極連接在一起，每個(gè)開(kāi)關(guān)管組中各個(gè)第二MOS管的漏極連接在一起，所述第一處理芯片分別通過(guò)電平轉(zhuǎn)換模塊與兩個(gè)開(kāi)關(guān)管組中各個(gè)第二MOS管柵極相連，每個(gè)開(kāi)關(guān)管組中各個(gè)第二MOS管的源極均接地，所述變壓器初級(jí)繞組兩端分別與兩個(gè)開(kāi)關(guān)管組中各個(gè)第二MOS管的漏極相連，所述變壓器初級(jí)繞組中間級(jí)與供電電池相連。