[發明專利]半導體元件的制作方法

有效

• 申請號: 201710785056.6
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN109427687B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 林哲平;詹電針;詹書儼;許啟茂;鄒世芳;鐘定邦;吳家偉
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件的制作方法，包含：

提供一基板，該基板上具有至少一電容結構，其中該電容結構包含下電極層、電容絕緣層、以及上電極，該電容結構形成在DRAM存儲單元區域上方；

在該上電極層上形成一半導體層；

對該半導體層進行氫摻雜制作工藝；

在該氫摻雜制作工藝之后在該半導體層上形成一金屬層；以及

圖形化該金屬層、該半導體層、該上電極、以及該電容絕緣層以形成一上電極板，

其中該半導體層包含硅、硅鍺(SiGe)或硅磷(SiP)。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，其中該半導體層有摻雜硼或磷。

3.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，其中該半導體層是以低壓化學氣相沉積制作工藝形成。

4.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，其中該金屬層包含鎢。

5.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，還包含在形成該半導體層后在該金屬層上形成一氧化層。

6.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，還包含在形成該上電極板后在該基板上形成一金屬沉積前介電層(pre-metal dielectric)。

7.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，還包含在該氫摻雜制作工藝后進行一熱制作工藝來加強所摻雜的氫離子的擴散。

8.如權利要求7所述的半導體元件的制作方法，該熱制作工藝的溫度介于200℃～800℃之間。

9.如權利要求1所述的半導體元件的制作方法，其中該氫摻雜制作工藝的摻雜劑量介于1×10¹⁵～1×10¹⁷之間，摻雜能量介于100eV～20KeV之間。