[發明專利]溫度補償聲表面波諧振器及其制備方法

有效

• 申請號: 201710784976.6
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107493086B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 張樹民;陳海龍;王國浩;鄭貴珍;汪泉
• 申請（專利權）人: 杭州左藍微電子技術有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/145
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 李明

1.一種溫度補償聲表面波諧振器，其特征在于，所述溫度補償聲表面波諧振器包括基片、位于該基片上方的壓電材料基板以及形成于該壓電材料基板上的叉指結構，其中，所述基片和所述壓電材料基板之間包括鍵合層、以形成復合基板，所述鍵合層包括沉積在所述基片上的第一黏附薄膜層、沉積在所述壓電材料基板上的第二黏附薄膜層，其中，

所述基片為低熱膨脹系數基片，當外界溫度變化時，由于所述基片的熱膨脹系數比較低，所述基片上方的器件受到的溫度變化的影響較少；并且

所述基片厚度與所述壓電材料基板厚度的比值越大，所述溫度補償聲表面波諧振器的補償系數越接近零。

2.根據權利要求1所述的溫度補償聲表面波諧振器，其特征在于，所述叉指結構的材料包括鋁、鈦、銅、鉻、銀的組合或者其中之一。

3.根據權利要求1所述的溫度補償聲表面波諧振器，其特征在于，所述鍵合層包括二氧化硅或者氮氧化硅。

4.一種如權利要求1所述的溫度補償聲表面波諧振器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在基片上沉積一層黏附材料，以形成第一黏附薄膜層；

在壓電材料基板上沉積一層黏附薄膜材料，以形成第二黏附薄膜層；

所述第一黏附薄膜層與所述第二黏附薄膜層進行鍵合，以使所述基片和壓電材料基板貼合形成復合基板；

在所述壓電材料基板上沉積金屬材料，以形成金屬薄膜層；

對所述金屬薄膜層進行圖形化，以形成金屬叉指結構。

5.根據權利要求4所述的溫度補償聲表面波諧振器的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

所述第一黏附薄膜層與所述第二黏附薄膜層在鍵合之前進行表面活化處理。

6.根據權利要求4所述的溫度補償聲表面波諧振器的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在所述第一黏附薄膜層與所述第二黏附薄膜層鍵合時，將貼合后的復合基板在氧氣或氮氣環境中經數小時的高溫處理。

7.根據權利要求4所述的溫度補償聲表面波諧振器的制備方法，其特征在于，沉積金屬材料的工藝包括電子束蒸發、物理氣相沉積、原子層沉積或脈沖激光沉積。

8.根據權利要求4所述的溫度補償聲表面波諧振器的制備方法，其特征在于，所述金屬材料包括銅、鋁、鉻、銀、鈦或它們的組合。

9.根據權利要求4所述的溫度補償聲表面波諧振器的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：對鍵合后的所述壓電材料基板進行減薄和拋光處理。