[發(fā)明專利]一種帶欠壓保護(hù)的升壓電容充電電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710783955.2
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107508460B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 明鑫;魏秀凌;張宣;辛楊立;高笛;王卓;張波
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02J7/34;H02M1/32
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種帶欠壓保護(hù)的升壓電容充電電路，其特征在于，包括電流比較器和檢測充電環(huán)路，

所述檢測充電環(huán)路包括運(yùn)算放大器、功率二極管(D2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第一NMOS管(MN1)、第一PMOS管(MP1)和第四PMOS管(MP4)，

運(yùn)算放大器的反相輸入端連接第一基準(zhǔn)電壓(Vref)，其輸出端連接第四PMOS管(MP4)的柵極，第四PMOS管(MP4)的源極接輸入電壓(Vin)；

功率二極管(D2)的陽極連接第四PMOS管(MP4)的漏極，其陰極連接所述升壓電容(C_boot)的上極板并通過第一電阻(R1)后連接第一PMOS管(MP1)的源極；

第一PMOS管(MP1)的柵極連接所述升壓電容(C_boot)的下極板，其漏極連接第三電阻(R3)的一端和第一NMOS管(MN1)的漏極；

第二電阻(R2)的一端連接第三電阻(R3)的另一端、第一NMOS管(MN1)的源極和運(yùn)算放大器的同相輸入端，其另一端接地；

所述電流比較器包括第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第四電阻(Rf)和第一電容(Cf)，

第四電阻(Rf)的一端連接所述檢測充電環(huán)路中第一NMOS管(MN1)的漏極，另一端連接第三NMOS管(MN3)的柵極并通過第一電容(Cf)后接地；

第二PMOS管(MP2)的柵漏短接并連接第三PMOS管(MP3)的柵極和第二NMOS管(MN2)的漏極，其源極連接第三PMOS管(MP3)的源極；

第二NMOS管(MN2)的柵極連接第二基準(zhǔn)電壓(Vref1)，其源極接地；

第三NMOS管(MN3)的漏極連接第三PMOS管(MP3)的漏極并通過第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2)的串聯(lián)結(jié)構(gòu)后連接所述檢測充電環(huán)路中第一NMOS管(MN1)的柵極，其源極接地。