[發(fā)明專利]等離子噴涂裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710783077.4 | 申請日: | 2017-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN107447181B | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋國利;梁紅 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱學(xué)院 |
| 主分類號: | C23C4/134 | 分類號: | C23C4/134 |
| 代理公司: | 北京勁創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11589 | 代理人: | 王闖 |
| 地址: | 150086 黑龍江*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空管 等離子發(fā)生器 等離子噴涂裝置 噴涂材料 混合器 分支通道 加速線圈 噴嘴 注入口 電極 陰極 混合噴涂 進氣通孔 內(nèi)部設(shè)置 氣體通孔 陽極 等離體 等離子 側(cè)壁 外壁 纏繞 合并 出口 | ||
本公開是關(guān)于一種等離子噴涂裝置,包括第一等離子發(fā)生器、第二等離子發(fā)生器和等離子混合器,第一等離子發(fā)生器包括第一真空管、第一組電極、第一氣體通孔和第一加速線圈,第一真空管的內(nèi)部設(shè)置有空腔,第一組電極包括陰極和陽極,第一進氣通孔設(shè)置在第一真空管的端面上,第一加速線圈纏繞在第一真空管的外壁上;第二等離子發(fā)生器與第一等離子發(fā)生器結(jié)構(gòu)相同;等離體混合器包括噴嘴、Y型通道和兩個噴涂材料注入口,Y型通道的兩個分支通道分別與第一真空管、第二真空管相連通,兩個噴涂材料注入口分別設(shè)置在Y型通道的兩個分支通道的側(cè)壁上,噴嘴設(shè)置在Y型通道的合并通道的出口上。該等離子噴涂裝置,可以同時對兩種噴涂材料進行混合噴涂。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及噴涂技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種等離子噴涂裝置。
背景技術(shù)
等離子體噴涂設(shè)備或等離子管用于粉末材料的低功率熱噴涂,例如:與不同的表面土城有關(guān)。這種設(shè)備通常包括:陰極、陽極和期間形成的等離子體通道。
在使用過程中,在等離子體通道中的陰極和陽極產(chǎn)生電弧,然后氣體被導(dǎo)入等離子體通道中用于形成等離子體,這樣等離子體流通過等離子體通道從陰極相鄰的入口段流經(jīng)到與陽極相鄰的出口段,同時,粉末材料被提供給等離子體流用于其噴涂。
但申請人發(fā)現(xiàn),前述等離體流噴涂通常用于單一類型的粉末材料噴涂。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例中提供了一種等離體噴涂裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的單一類型粉末材料噴涂的問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施例公開了如下技術(shù)方案:
一種等離子噴涂裝置,包括:第一等離子發(fā)生器、第二等離子發(fā)生器和等離子混合器,其中,
所述第一等離子發(fā)生器包括:第一真空管、第一組電極、第一氣體通孔和第一加速線圈,其中,第一真空管的內(nèi)部設(shè)置有空腔,所述第一組電極包括陰極和陽極,并且陰極、陽極的一端均位于所述第一真空管外,另一端均位于所述第一真空管內(nèi),所述第一進氣通孔設(shè)置在所述第一真空管的端面上,所述第一加速線圈纏繞在所述第一真空管的外壁上;
所述第二等離子發(fā)生器包括:第二真空管、第二組電極、第二氣體通孔和第二加速線圈,其中,第二真空管的內(nèi)部設(shè)置有空腔,所述第二組電極包括陰極和陽極,并且陰極、陽極的一端均位于所述第二真空管外,另一端均位于所述第二真空管內(nèi),所述第二進氣通孔設(shè)置在所述第二真空管的端面上,所述第二加速線圈纏繞在所述第二真空管的外壁上;
所述等離體混合器包括:第一噴涂材料注入口、第二噴涂材料注入口、噴嘴和Y型通道,其中,所述Y型通道的兩個分支通道的開口分別與所述第一真空管、第二真空管的出口相連通,所述第一噴涂材料注入口和第二噴涂材料注入口分別設(shè)置在所述Y型通道的兩個分支通道的側(cè)壁上,所述噴嘴設(shè)置在所述Y型通道的合并通道的出口上。
可選地,所述裝置還包括:第三加速線圈,其中,所述第三加速線圈纏繞在所述Y型通道的合并通道的外壁上。
可選地,所述Y型通道的兩個分支通道上均設(shè)置有觀察窗,所述觀察窗的位置與所述第一噴涂材料注入口、第二噴涂材料注入口的位置相對應(yīng)。
可選地,所述第一氣體通孔和第二氣體通孔上均設(shè)置有單向閥,所述單向閥的導(dǎo)通方向指向所述第一真空管或第二真空管內(nèi)部。
可選地,所述第一真空管內(nèi)的陰極設(shè)置在遠離所述等離子混合器的一端,所述第一真空管的陽極設(shè)置在接近所述等離子混合器的一端。
可選地,所述第一真空管上的陰極、陽極均與所述第一真空管的外壁之間相密封。
可選地,所述第二真空管內(nèi)的陰極設(shè)置在遠離所述等離子混合器的一端,所述第二真空管的陽極設(shè)置在接近所述等離子混合器的一端。
可選地,所述第二真空管上的陰極、陽極均與所述第二真空管的外壁之間相密封。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
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