[發明專利]一種提高GaAs光電陰極量子效率和壽命的激活方法有效
| 申請號： | 201710782391.0 | 申請日： | 2017-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN109427518B | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 張益軍;張景智;馮琤;張翔;錢蕓生;張俊舉;戴慶鑫 | 申請（專利權）人： | 南京理工大學 |
| 主分類號： | H01J9/12 | 分類號： | H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 馬魯晉 |
| 地址： | 210094 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 gaas 光電 陰極 量子 效率 壽命 激活 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高GaAs光電陰極量子效率和壽命的激活方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、對待激活樣品進行化學清洗；
步驟2、對化學清洗后的樣品進行高溫凈化；
步驟3、以波長為532nm的單色光源照射光電陰極表面，開啟銫源并始終保持開啟狀態，光電流逐漸上升；
步驟4、光電流達到峰值并下降，當下降到峰值的75％—85％時開啟氧源，在光電流出現新的峰值時關閉氧源；
步驟5、重復步驟4，直到光電流的峰值電流不再增加時，先后關閉氧源和銫源，結束激活過程。
2.根據權利要求1所述的提高GaAs光電陰極量子效率和壽命的激活方法，其特征在于，步驟1中化學清洗方法為：將待激活樣品先后放入裝有CCl4、丙酮、乙醇、去離子水的燒杯中，并將燒杯放入超聲波清洗器中，每種溶液各清洗5min，再將其放入HF溶液中靜置清洗5min，最后用去離子水對樣品沖洗至少一分鐘。
3.根據權利要求1所述的提高GaAs光電陰極量子效率和壽命的激活方法，其特征在于，步驟2中高溫凈化步驟為：將化學清洗后的樣品送至激活系統的加熱位置進行加熱，加熱溫度為650℃，加熱時間為10分鐘，加熱過程中保持系統真空度不低于1×10-6Pa。
4.根據權利要求1所述的提高GaAs光電陰極量子效率和壽命的激活方法，其特征在于，步驟3、步驟4和步驟5均在超高真空系統中進行，超高真空系統的真空度不低于10-7Pa數量級。
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