[發明專利]一種抑制瞬態電場下電荷注入方法及裝置在審
| 申請號: | 201710780966.5 | 申請日: | 2017-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN107578861A | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發明(設計)人: | 何順;馬宏明;程志萬;譚向宇 | 申請(專利權)人: | 云南電網有限責任公司電力科學研究院 |
| 主分類號: | H01B13/06 | 分類號: | H01B13/06;H01B19/04;H02K3/32;H02K3/30;H02K15/10 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363 | 代理人: | 逯長明,許偉群 |
| 地址: | 650217 云南省昆*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 瞬態 電場 電荷 注入 方法 裝置 | ||
1.一種抑制瞬態電場下電荷注入方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
選取純度為99.99%的氧化鎂靶材置入磁控濺射儀,將基體固定于磁控濺射儀基底進行磁控濺射,在基體表面形成一層氧化鎂薄膜;
將基體對高壓設備載流模塊表面進行絕緣覆蓋。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁控濺射儀的工作模式為脈沖激勵源,濺射功率300W,濺射腔室抽真空至0.35Pa,并在腔室內部通入高純氬氣,氣體流速設置為35sccm,其中sccm表示標準毫升每分鐘流量。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁控濺射的濺射時間包括1小時~6小時,所述氧化鎂薄膜的厚度包括100nm~800nm,其中nm表示納米。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述基體包括絕緣材料層或者金屬導體;所述氧化鎂薄膜設置于所述絕緣材料層表面,所述氧化鎂薄膜設置于所述金屬導體表面。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在高壓設備載流模塊表面進行絕緣覆蓋包括將鍍有氧化鎂薄膜的絕緣材料層纏繞在基體上形成定子繞組,將纏繞完畢的定子繞組放到180攝氏度溫度下擠壓成型,制備電機定子繞組;將鍍有氧化鎂薄膜的金屬導體放到模具中,然后將模具送入澆注爐進行澆注,制備環氧基絕緣件;通過三層共擠設備,將鍍有氧化鎂薄膜的金屬導體、半導電層和鍍有氧化鎂薄膜的絕緣材料層三者一同擠壓成型,制備電纜。
6.一種抑制瞬態電場下電荷注入裝置,其特征在于,包括所述權利要求1~5中任一項所述的已進行絕緣覆蓋的高壓設備載流模塊。
7.如權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述裝置包括設置有變壓器繞組絕緣的高壓電機,設置有組合開關及氣體絕緣金屬管道絕緣子的高壓斷路器,中高壓交直流套管或者中高壓交直流電纜。
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