[發明專利]具有硝酸根插層的層狀復合金屬氫氧化物的制備方法

在審

• 申請號: 201710780551.8
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN107651700A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 樊發英;鄧小川;唐志雷
• 申請（專利權）人: 中國科學院青海鹽湖研究所
• 主分類號: C01F7/00
• 分類號: C01F7/00;C01G9/00;C01G37/00;C01G49/00
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種具有硝酸根插層的層狀復合金屬氫氧化物的制備方法，所述層狀復合金屬氫氧化物包括低價主體層板陽離子、高價主體層板陽離子以及層間陰離子，其中，所述低價主體層板陽離子和所述高價主體層板陽離子包括至少一種金屬陽離子，所述層間陰離子為硝酸根；其特征在于，所述制備方法包括步驟：

S1、將低價陽離子的氫氧化物與高價陽離子的氫氧化物混合并溶于水中，獲得第一混合物；

S2、向所述第一混合物中添加硝酸和/或水溶性硝酸鹽并混合均勻，獲得第二混合物；

S3、將所述第二混合物在50℃～300℃下反應4h～100h，反應產物經固液分離，所得固相經干燥，獲得所述具有硝酸根插層的層狀復合金屬氫氧化物。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述低價陽離子與所述低價主體層板陽離子相同；所述高價陽離子與所述高價主體層板陽離子相同。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述低價陽離子選自Li⁺、Mg²⁺、Zn²⁺、Ca²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺、Cd²⁺和Be²⁺中的至少一種。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述高價陽離子選自Al³⁺、Ni³⁺、Co³⁺、Fe³⁺、Mn³⁺、Cr³⁺、V³⁺、Ti³⁺、In³⁺、Ga³⁺、Sn⁴⁺、Ti⁴⁺和Zr⁴⁺中的至少一種。

5.根據權利要求1-4任一所述的制備方法，其特征在于，所述低價陽離子的氫氧化物與所述高價陽離子的氫氧化物的物質的量之比為2:1～100:1。

6.根據權利要求1-4任一所述的制備方法，其特征在于，所述硝酸和/或水溶性硝酸鹽的物質的量為所述高價陽離子的物質的量的0.01～50倍。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S1中，水的質量為所述低價陽離子的氫氧化物的質量的1～1000倍。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S1中，還包括：將所述第一混合物攪拌不超過4h。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S3中，將所述第二混合物置于超聲、水熱、回流、微波任一環境下進行反應。