[發(fā)明專利]用于鑒定各種分子的單同位素質量的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710780048.2
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN107807198B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設計）人: T·克里斯蒂安;K·安德里亞斯
• 申請（專利權）人: 塞莫費雪科學(不來梅)有限公司
• 主分類號: G01N30/72
• 分類號: G01N30/72
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陶家蓉;余穎

1.一種用于鑒定單同位素質量或與樣品中含有的和/或通過至少電離過程從樣品產(chǎn)生的至少一種分子的同位素分布的同位素質量相關的參數(shù)的方法，其包括以下步驟：

(i)用質譜儀測量所述樣品的質譜；

(ii)將所述樣品的所述質譜的測量的m/z值的至少一個范圍分割成幾個部分；

(iii)將測量的m/z值的所述至少一個范圍的至少一些所述部分分配給幾個所提供的處理器中的一個處理器；

(iv)對于所述樣品中含有的或從所述樣品產(chǎn)生的所述至少一種分子中的每個，在測量的m/z值的所述至少一個范圍的至少一個所述部分中，從所述測量的質譜中推導出具有比電荷z的其離子的同位素分布；

(v)從所述樣品中含有的和/或從所述樣品產(chǎn)生的所述至少一種分子中的每個的離子的至少一個推導出的同位素分布，推導出所述單同位素質量或與這種分子的所述同位素分布的所述同位素質量相關的參數(shù)；

其中對所述樣品中含有的和/或通過至少電離過程從所述樣品產(chǎn)生的所述至少一種分子的每個，推導出其具有比電荷z的離子的至少一個同位素分布，所述推導是通過：

基于平均值模式，定義對于指派給測量的峰PX和電荷z的同位素分布中可預期對于具有較小m/z值有多少峰N_{left_PX}(z)，和對于具有較高的m/z值的有多少峰N_{right_PX}(z)，

定義指派給峰PX和電荷z的同位素分布的理論m/z值m/z(z)_k，

確定所有在測量的質譜中具有指派給峰PX和電荷z的同位素分布的具有強度I_k(z)和實際觀察到的m/z值m/z(z)_{k_obs}的峰，和

通過借助于四個子電荷分數(shù)cs_{P_PX}(z)、cs_{AS_PX}(z)、cs_{AC_PX}(z)和cs_{IS_PX}(z)中的至少三個的相乘，

其中csP_PX(z)子電荷分數(shù)由以下計算：

其中子電荷分數(shù)cs_{AS_PX}(z)由以下計算：

其中對于指派給測量的峰PX和電荷z的同位素分布的每個峰，Z份數(shù)Z_k(z)由下式給出：

Z_k(z)＝δm/z_max*m/z_PX/│m/z(z)_{k_obs}-m/z(z)_k│，其中δm/z_max是用于測量樣品質譜的質譜儀的m/z的最大相對偏差，

其中子電荷分數(shù)cs_{AC_PX}(z)由下式計算：

其中：

其中I_{corr_k}(z)＝I_k(z)*(1-2*((m/z(z)_k-obs-m/z(z)_k)/W_k)²)，

它是指派給峰PX和電荷z的同位素分布的每個峰的校正強度，而W_k是具有理論m/z值m/z(z)_k的同位素分布的峰的半峰全寬(FWHM)，

和其中子電荷分數(shù)cs_{IS_PX}(z)將指派給峰PX和電荷z的同位素分布的所觀察的峰N_{obs_PX}(z)的數(shù)量與指派給峰PX和電荷z的同位素分布的理論預期峰N_{theo_PX}(z)的數(shù)量關聯(lián),

從而推導出所述質譜的測量的峰PX的電荷分數(shù)csPX(z)。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于鑒定單同位素質量或與樣品中含有的和/或通過至少電離過程從樣品產(chǎn)生的至少一種分子的同位素分布的同位素質量相關的參數(shù)的方法，其中在步驟(iv)前，確定測量的最高強度峰P1，定義如下：

在測量的m/z值的至少一個范圍的至少一個部分中的測量的峰PX，對于該測量的峰P1是電荷分數(shù)csP1(z)，在步驟(iv)推導為電荷分數(shù)cxPX(z)，從其推出樣品中含有的和/或來自樣品的至少一種分子的具有比電荷數(shù)z的離子的同位素分布。