[發(fā)明專利]一種紫外探測器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710779638.3 | 申請日: | 2017-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN107579126B | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳星;劉可為;李炳輝;張振中;申德振 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0296 | 分類號: | H01L31/0296;H01L31/101;H01L31/18 |
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| 地址: | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紫外 探測器 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種紫外探測器及其制作方法,所述制作方法包括:提供一襯底;在所述襯底表面形成氧化鋅層;對所述氧化鋅層的表面進(jìn)行氟修飾處理,使得所述氧化鋅層具有含氟的官能團;在所述氧化鋅層的表面形成預(yù)設(shè)圖形結(jié)構(gòu)的電極,所述電極表面具有In粒;其中,所述官能團用于增加對氧氣的吸附量以及吸附速率。本發(fā)明技術(shù)方案可以同時優(yōu)化紫外探測器的響應(yīng)度、暗電流以及響應(yīng)時間這三個特性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,更具體的說,涉及一種紫外探測器及其制作方法。
背景技術(shù)
紫外探測技術(shù)可用于軍事通信、導(dǎo)彈尾焰探測、火災(zāi)預(yù)警、環(huán)境監(jiān)測、生物效應(yīng)等方面,無論在軍事上還是在民用上都有廣泛的應(yīng)用。目前,己投入商用的紫外探測器主要有硅探測器、光電倍增管和半導(dǎo)體探測器。硅基紫外光電管需要附帶濾光片,光電倍增管則需要在高電壓下工作,而且體積笨重、效率低、易損壞且成本較高,對于實際應(yīng)用有一定的局限性。相對硅探測器和光電倍增管來說,由于半導(dǎo)體材料具有攜帶方便、造價低、響應(yīng)度高等優(yōu)點而備受關(guān)注。
目前研究較多的半導(dǎo)體材料主要有III-V族的合金AlGaN和II-VI族的合金MgZnO。目前報道的GaN通過摻入鋁可以把能帶調(diào)寬到日盲區(qū),并制作成MSM(金屬-半導(dǎo)體-金屬)和p-n等結(jié)構(gòu)的探測器。但是AlGaN的生長溫度高,而且高鋁組份的合金結(jié)晶質(zhì)量差。ZnO作為另外一種寬禁帶半導(dǎo)體,具有強的抗輻射能力、高的電子飽和漂移速度、匹配的單晶襯底、容易合成、無毒無害、資源豐富和環(huán)境友好等優(yōu)勢,是制備寬禁帶紫外探測器的候選材料之一。
對于紫外探測器而言最重要的三個參數(shù)就是器件的響應(yīng)度,暗電流和響應(yīng)時間。響應(yīng)度和暗電流決定了器件的靈敏度和對弱信號的探測能力,響應(yīng)度越高越好,暗電流越低越好。響應(yīng)時間則決定了器件對于信號的快速甄別能力,在紫外告警和紫外通訊領(lǐng)域?qū)τ陧憫?yīng)時間的要求較高,響應(yīng)時間越快越好。對于實用化的紫外探測器件而言,需要具有良好的綜合性能。要實現(xiàn)這一目標(biāo),除了提高薄膜的質(zhì)量之外,對器件的后處理和修飾方法也是至關(guān)重要的。目前的修飾方法,一般很難同時優(yōu)化這三個重要參數(shù)。尤其是對于器件的響應(yīng)時間,很難進(jìn)一步提高,同時很可能伴隨器件響應(yīng)度的降低。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明技術(shù)方案提供了一種紫外探測器及其制作方法,提高了紫外探測器的響應(yīng)度,降低了暗電流以及響應(yīng)時間。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種紫外探測器的制作方法,所述制作方法包括:
提供一襯底;
在所述襯底表面形成氧化鋅層;
對所述氧化鋅層的表面進(jìn)行氟修飾處理,使得所述氧化鋅層具有含氟的官能團;
在所述氧化鋅層的表面形成預(yù)設(shè)圖形結(jié)構(gòu)的電極,所述電極表面具有In粒;
其中,所述官能團用于增加對氧氣的吸附量以及吸附速率。
優(yōu)選的,在上述制作方法中,所述在所述襯底表面形成氧化鋅層包括:
通過分子束外延工藝、或金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積工藝、或磁控濺射工藝形成所述氧化鋅層。
優(yōu)選的,在上述制作方法中,所述對所述氧化鋅層進(jìn)行氟修飾處理包括:
將所述氧化鋅層浸沒在含氟的溶液中預(yù)設(shè)時間,以形成所述官能團;
通過去離子水清洗后,進(jìn)行干燥處理。
優(yōu)選的,在上述制作方法中,所述預(yù)設(shè)時間為0.01s-24h;
所述溶液中氟的濃度為1*10-6mol/L-10mol/L,包括端點值。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





