[發明專利]像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201710779318.8
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN107591480A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 李子然
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40;H01L29/786
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

1.一種像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，包括分布于基板的上表面的第一電極層，該第一電極層包括公共電極層和源極層以及設于所述基板的上表面上方第二電極層，該第二電極層包括的像素電極層和漏極層；所述第一電極層和所述基板之間設有絕緣層；所述像素電極層和所述絕緣層的上部分布有垂直于所述絕緣層的溝道，所述溝道將所述像素電極層分成多個相互隔離的立體像素電極；所述像素電極層連接于有機薄膜晶體管的漏極層，所述漏極層、源極層上沉積有有源層，所述有源層上分別沉積有柵極層以及位于有源層和柵極層之間的柵絕緣層。

2.根據權利要求1所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極層和所述源極層均為單金屬層或多層金屬疊層。

3.根據權利要求1所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極層和所述源極層的層厚范圍為100nm-400nm。

4.根據權利要求1所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的半導體的材料為銦鎵鋅氧化物或非晶硅。

5.根據權利要求1所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第二絕緣層設于所述第一絕緣層的上方，所述垂直溝道穿過所述第二絕緣層的層體以及所述第一絕緣層的上部。

6.根據權利要求5所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述第一絕緣層為光阻絕緣層；所述光阻絕緣層為PFA膜層。

7.根據權利要求6所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述PFA膜層的層厚范圍為1500nm-5000nm。

8.根據權利要求1所述的像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管，其特征在于，所述立體像素電極的表面到所述溝道的底面的垂直距離范圍為1000nm-4000nm。

9.一種根據權利要求1-9任一項所述像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1)在基板的上表面的分別沉積第一電極層，并將所述第一電極層圖案化；

步驟S2)在基板上依次沉積絕緣層、第二電極層，并將所述絕緣層、第二電極層圖像化；

步驟S3)在基板及源極層上分別依次沉積并圖案化有源層、柵絕緣層以及柵極層；

步驟S4)在像素電極層以及絕緣層的上部形成垂直于所述絕緣層的溝道以及立體像素電極。

10.根據權利要求9所述像素結構垂直溝道有機薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟S2)包括在基板上依次沉積并圖像化第一絕緣層、第二絕緣層；所述步驟S4)包括在第一絕緣層的光阻曝光后，定義立體像素電極區，濕刻圖案化像素電極層，再干刻第二絕緣層及第一絕緣層的上部，形成所述溝道和立體像素電極。