[發明專利]半導體結構的處理方法

有效

• 申請號: 201710778937.5
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN109427967B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 林昱佑;李峰旻;曾柏皓;許凱捷
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體結構的處理方法，包括：

提供具有多個存儲器元件的半導體結構；

進行一形成工藝以初始化這些存儲器元件的操作；

對該半導體結構進行一形成熱處理，其中該形成熱處理為一設置擬烘烤；以及

在進行該設置擬烘烤之后，存儲數據至這些存儲器元件；

其中，在進行該設置擬烘烤之后和存儲數據至這些存儲器元件之前，對這些存儲器元件至少其中之一進行一復位熱工藝，該復位熱工藝在一溫度為150℃至250℃的范圍之間進行。

2.根據權利要求1所述的處理方法，在該形成熱處理之后，該方法還包括：在存儲數據至這些存儲器元件之前，電性循環這些存儲器元件于一低阻態和一高阻態之間。

3.根據權利要求1所述的處理方法，其中該形成熱處理在一溫度為200℃至250℃的范圍之間進行，其中該形成熱處理的一處理時間為：

10^8800/K-16.82＜treatment time＜10^8800/K-14.82，

其中，K為絕對溫度，該處理時間的單位為秒。

4.根據權利要求1所述的處理方法，在存儲數據至這些存儲器元件之后，該方法還包括：在一回焊溫度下回焊這些存儲器元件。

5.根據權利要求1所述的處理方法，其中該形成工藝在一第一工藝機臺進行，而該形成熱處理在一第二工藝機臺進行，其中該第二工藝機臺可提供至少200℃至250℃范圍之間的一加熱溫度。

6.根據權利要求1所述的處理方法，其中該復位熱工藝的一處理時間為：

10^8800/K-16.82＜treatment time＜10^8800/K-14.82，

其中，K為絕對溫度，該處理時間的單位為秒。

7.根據權利要求6所述的處理方法，還包括：在進行該形成工藝之后和進行該設置擬烘烤之前，進行一預先循環的復位/設置工藝。

8.根據權利要求6所述的處理方法，其中該復位熱工藝包括重復地進行以下步驟n次：

進行一復位操作；和

進行一復位擬烘烤；

其中n≥2，且n為正整數。

9.根據權利要求8所述的處理方法，其中n等于3。

10.根據權利要求6所述的處理方法，其中該形成工藝在一第一工藝機臺進行，而該設置擬烘烤和該復位熱工藝在一第二工藝機臺進行，其中該第二工藝機臺可提供至少150℃至250℃范圍之間的一加熱溫度。