[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710778300.6
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN109427544B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 朱占魁;張芳余;史運澤;趙鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/8234
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括：

襯底，包括第一區和第二區；以及

在所述第一區上用于第一器件的第一柵極結構；

在所述襯底結構的表面上形成刻蝕保護層；

在所述第二區上方的刻蝕保護層上形成掩模層，所述掩模層包含聚合物；

執行干法刻蝕，以使得所述第一柵極結構兩側的第一區被刻蝕以形成第一凹陷，并使得所述第一柵極結構的表面上的刻蝕保護層被去除；

去除所述掩模層，以形成半導體結構；

在去除所述掩模層后，執行灰化工藝；

在所述灰化工藝之后，利用光對所述半導體結構進行照射，所述照射包括對所述第一凹陷進行照射、以及對在所述第二區上方的刻蝕保護層進行照射；

在所述照射后，執行濕法刻蝕，以將所述第一凹陷形成為第二凹陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一器件包括MOS器件。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述MOS器件包括PMOS器件。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述第二凹陷中外延生長SiGe。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第二凹陷中外延生長SiGe之前，還包括：

利用光對所述第二凹陷進行照射。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述襯底結構還包括在所述第二區上用于第二器件的第二柵極結構。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二器件包括NMOS器件。

8.根據權利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述光包括激光。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光的波長大于380nm。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光的波長范圍為10nm至380nm。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光的波長小于10nm。

12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光包括第一激光、第二激光和第三激光中的多個；

所述第一激光的波長大于380nm；

所述第二激光的波長范圍為10nm至380nm；

所述第三激光的波長小于10nm。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模層包括光致抗蝕劑。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕保護層包括硅的氮化物或碳化硅。

15.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的刻蝕劑包括四甲基氫氧化銨。

16.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一柵極結構包括：

在所述第一區上的第一柵極電介質層；

在所述第一柵極電介質層上的第一柵極；

在所述第一柵極的表面和側壁上的第一硬掩模層。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述襯底結構的表面上形成刻蝕保護層之前，在所述襯底結構的表面上形成緩沖層。

18.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二柵極結構包括：

在所述第二區上的第二柵極電介質層；

在所述第二柵極電介質層上的第二柵極；

在所述第二柵極的表面和側壁上的第二硬掩模層。