[發明專利]一種使用波浪上選擇門剪切的3D-NAND存儲器有效
| 申請號： | 201710775885.6 | 申請日： | 2017-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN107658306B | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發明（設計）人： | 陶謙;胡禺石;呂震宇;陳俊;戴曉望;肖莉紅;朱繼鋒;姚蘭 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11524 | 分類號： | H01L27/11524;H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11619 北京辰權知識產權代理有限公司 | 代理人： | 劉廣達<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 波浪 選擇 nand 存儲器 通道 空穴 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用波浪上選擇門剪切的3D-NAND存儲器通道空穴結構，其特征在于：
所述3D-NAND存儲器通道空穴結構為九孔空穴陣列，所述波浪上選擇門剪切有兩條，分別分布在所述陣列的第三列和第四列之間、第六列和第七列之間。
2.根據權利要求1所述的3D-NAND存儲器通道空穴結構，其特征在于：
所述3D-NAND存儲器通道空穴結構的線位距離為52-55nm。
3.一種根據權利要求1或2所述的3D-NAND存儲器通道空穴結構的制備方法，其特征在于所述方法包括如下步驟：
形成九孔空穴陣列；
在所述九孔空穴陣列的第三列和第四列之間、在第六列和第七列之間形成上選擇門剪切，從而沿著所述上選擇門剪切將通道空穴結構分隔為三個部分。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
