[發(fā)明專利]一種3DNAND器件柵線縫隙氧化物的沉積方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710775211.6 | 申請日： | 2017-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN107527795A | 公開（公告）日： | 2017-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賈彩艷;王家友;郁賽華;王秉國 | 申請（專利權(quán)）人： | 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 黨麗,王寶筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 dnand 器件 縫隙 氧化物 沉積 方法 | ||
1.一種3D NAND器件柵線縫隙氧化物的沉積方法，在采用六氟化鎢的反應(yīng)氣體沉積鎢柵線并進(jìn)行回刻之后，進(jìn)行所述氧化物的沉積，其特征在于，所述沉積方法包括：
將形成有鎢柵線的襯底置于惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行退火處理；
進(jìn)行柵線縫隙氧化物的沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述退火處理在爐管設(shè)備中進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氬氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積方法，其特征在于，所述爐管內(nèi)的氬氣含量范圍為10-25slm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積方法，其特征在于，所述退火溫度范圍為650-700攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積方法，其特征在于，所述退火時(shí)間的范圍為100-120分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的沉積方法，其特征在于，采用六氟化鎢的反應(yīng)氣體沉積鎢柵線的方法為化學(xué)氣相沉積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的沉積方法，其特征在于，進(jìn)行柵線縫隙氧化物的沉積的方法為化學(xué)氣相沉積。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
