[發明專利]一種研磨方法

在審

• 申請號: 201710775066.1
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107393819A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 萬先進;周小云;桂輝輝;楊俊鋮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種研磨方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待研磨的半導體結構，所述待研磨的半導體結構至少包括研磨層和位于研磨層之下的研磨終點檢測層；

采用研磨液對研磨層進行主研磨；

獲取主研磨過程中用于表征研磨層表面物理性能的性能參數；

根據所述性能參數判斷是否到達主研磨的研磨終點；

若到達主研磨的研磨終點，對研磨液進行稀釋，以使稀釋后的研磨液的研磨層對研磨終點檢測層的選擇比達到預設選擇比；

以稀釋后的研磨液對研磨層進行過研磨。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對研磨液進行稀釋包括根據預設稀釋濃度對研磨液進行稀釋；

所述預設稀釋濃度根據研磨液對研磨層和研磨終點檢測層的選擇比與稀釋濃度之間的對應關系確定。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預設稀釋濃度還根據研磨液對研磨層的研磨速率與稀釋濃度之間的對應關系確定。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述研磨層為金屬層，所述研磨終點檢測層為非金屬層時，所述稀釋濃度的范圍為50％-75％。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述研磨液和所述稀釋溶劑的流量的比值在1:1到3:1之間。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述研磨方法應用于鎢化學機械研磨，所述研磨層為金屬鎢層，所述研磨終點檢測層為氧化物層。

7.根據權利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，在所述過研磨停止后，還包括：

清洗所述半導體結構表面。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述清洗所述半導體結構表面包括：原位使用去離子水沖洗。

9.根據權利要求1-5任意一項所述的方法，其特征在于，所述研磨層為金屬層，所述金屬層表面物理性能的性能參數包括反射光強度；

所述根據所述性能參數判斷是否到達主研磨的研磨終點，包括：

判斷所述反射光強度是否達到預設強度值；

當判斷結果為是時，確定到達主研磨的研磨終點。

10.根據權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述研磨層為非金屬層，所述非金屬層的物理表面性能的性能參數包括表面摩擦系數；

所述根據所述性能參數判斷是否到達主研磨的研磨終點包括：

判斷所述表面摩擦系數的變化是否符合目標變化趨勢；

當判斷結果為是時，確定到達主研磨的研磨終點。