[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽能電池及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710774169.6 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107706308A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張文華;吳義輝;王鵬;張志群 | 申請(專利權(quán))人: | 四川省新材料研究中心;鞍山七彩化學股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)51237 | 代理人: | 李華,溫黎娟 |
| 地址: | 610200 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池由下至上依次包括導電玻璃層、電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和電極層,所述鈣鈦礦吸光層淺層部分為梯度異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述梯度異質(zhì)結(jié)由鈣鈦礦材料和空穴導體材料組成,所述空穴導體材料梯度分布在所述鈣鈦礦材料淺層部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述空穴導體材料選自PTAA、P3HT、CuI、NiOx、CuPc、C中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述梯度異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的制備方法包括以下步驟:(1)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液利用旋涂的方法制備前驅(qū)體薄膜,旋涂結(jié)束前將含有空穴導體材料的反溶劑滴加到所述鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜上;(2)將所述鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜退火結(jié)晶得到具有梯度異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述反溶劑選自甲苯、氯苯、氯仿、乙醚中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述步驟(1)中反溶劑的滴加時間為離旋涂結(jié)束5-15s。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述步驟(2)中退火結(jié)晶具體為將所述鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜在80~200℃下退火5~60分鐘,得到具有鈣鈦礦—空穴導體梯度異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦薄膜。
8.一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)提供導電玻璃,在所述導電玻璃上制備電子傳輸層;(2)在所述電子傳輸層上旋涂鈣鈦礦前驅(qū)體層;(3)將含有空穴導體材料的反溶劑滴加到所述鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜上;(4)將所述鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜退火結(jié)晶得到具有梯度異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦薄膜;(5)在所述鈣鈦礦薄膜表面旋涂空穴傳輸層;(6)在所述空穴傳輸層上蒸鍍電極層,得到鈣鈦礦太陽能電池。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述電子傳輸層的材料為TiO2、SnO2、PC61BM、PC71BM、ICBA、C60中的一種或幾種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)具體為將空穴導體材料溶解在反溶劑里得到混合液,將所述混合液滴加到所述鈣鈦礦前驅(qū)體層上,空穴導體材料在鈣鈦礦前驅(qū)體表面沉積并進入到所述鈣鈦礦前驅(qū)體的淺層中得到鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





