[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710774112.6
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107369747B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄔新根;劉英策;劉兆;李俊賢;吳奇隆
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L33/60
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力;王寶筠

1.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面具有外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)至少包括N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層；

在所述外延結(jié)構(gòu)上完成芯片端前段制程，以獲得多個(gè)外延單元；

對所述襯底背離所述外延結(jié)構(gòu)一側(cè)進(jìn)行研磨拋光處理，以使所述襯底在垂直于所述外延結(jié)構(gòu)的方向上的厚度為預(yù)設(shè)厚度；

在所述襯底背離所述外延單元一側(cè)表面形成全角度反射鏡ODR介質(zhì)層；

對所述襯底進(jìn)行隱形切割，以在所述襯底中形成多個(gè)切割痕跡，每個(gè)所述切割痕跡所在平面位于相鄰所述外延單元之間；

在所述ODR介質(zhì)層背離所述襯底一側(cè)表面形成ODR反射層，所述ODR反射層和所述ODR介質(zhì)層構(gòu)成全角度反射鏡；

利用所述多個(gè)切割痕跡對所述襯底進(jìn)行劈裂，以獲得多個(gè)LED芯片；

所述在所述襯底背離所述外延單元一側(cè)表面形成ODR介質(zhì)層包括：

在所述襯底背離所述外延單元一側(cè)表面交替形成第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層的折射率與所述第二介質(zhì)層的折射率的差值大于預(yù)設(shè)閾值；

所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層為二氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、氧化鈦層、氧化鋁層、氟化鎂層和氧化鉿層中的任意一層或多層；

所述第一介質(zhì)層為二氧化硅層；

所述第二介質(zhì)層為五氧化三鈦層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述ODR介質(zhì)層背離所述襯底一側(cè)表面形成ODR反射層包括：

在所述ODR介質(zhì)層背離所述襯底一側(cè)表面依次形成金屬反射層和金屬保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬反射層和金屬保護(hù)層為鋁金屬層、銀金屬層、金金屬層、鉑金屬層、鉛金屬層、鉻金屬層、鈮金屬層、鈦金屬層和錫金屬層中的任意一層或多層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬反射層為鋁金屬層；

所述金屬保護(hù)層包括：位于所述鋁金屬層表面依次排列的鈦金屬層、鉑金屬層和金金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述多個(gè)切割痕跡對所述襯底進(jìn)行劈裂，以獲得多個(gè)LED芯片包括：

在所述襯底朝向所述外延結(jié)構(gòu)一側(cè)表面對準(zhǔn)多個(gè)所述切割痕跡；

利用對準(zhǔn)的切割痕跡在所述襯底背離所述外延結(jié)構(gòu)一側(cè)進(jìn)行劈裂，以獲得多個(gè)LED芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度的取值范圍為60μm-300μm，包括端點(diǎn)值。