[發明專利]高深寬比結構的制備方法及結構

有效

• 申請號: 201710774069.3
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN109427579B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L23/64
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種高縱橫比結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)提供一半導體晶圓，所述半導體晶圓的正面上形成有若干個高縱橫比結構，若干個所述高縱橫比結構間隔排布，且所述高縱橫比結構之間填充有犧牲層；其中，所述高縱橫比結構的縱橫比大于或等于15；

2)在所述半導體晶圓的正面噴涂潤濕劑，所述潤濕劑預先潤濕所述高縱橫比結構的表面，且所述潤濕劑與所述犧牲層的接觸角小于30°；及，

3)在保持所述高縱橫比結構的表面潤濕狀態下，采用一次濕法刻蝕工藝去除所述犧牲層，且在所述濕法刻蝕工藝中，避免在濕法腐蝕溶液與所述犧牲層之間產生氣泡，以得到所述高縱橫比結構。

2.根據權利要求1所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：步驟2)中，所述潤濕劑與所述高縱橫比結構的接觸角小于30°。

3.根據權利要求1所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：步驟2)中，所述半導體晶圓的表面噴涂的潤濕劑為異丙醇。

4.根據權利要求2所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：采用噴涂工藝向所述半導體晶圓的表面噴涂所述潤濕劑，噴涂時間為2秒～15秒。

5.根據權利要求2所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：在所述半導體晶圓的表面噴涂的所述潤濕劑的溫度為20℃～75℃。

6.根據權利要求2所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：在所述半導體晶圓的表面噴涂所述潤濕劑的過程中，還包括對所述半導體晶圓進行加熱的步驟。

7.根據權利要求6所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：在所述半導體晶圓的表面噴涂所述潤濕劑的過程中，所述半導體晶圓被加熱至20℃～75℃。

8.根據權利要求1所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：步驟3)中，采用不含活性劑的濕法腐蝕溶液去除所述犧牲層。

9.根據權利要求8所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：所述濕法腐蝕溶液的成分包括氫氟酸、氟化銨、四甲基氫氧化銨或氫氧化銨。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：步驟3)之后還包括如下步驟：

4)向所述半導體晶圓的正面噴涂清洗液；及，

5)使用氮氣對所述半導體晶圓的正面進行吹掃。

11.根據權利要求10所述的高縱橫比結構的制備方法，其特征在于：步驟2)～步驟5)中，所述半導體晶圓均處于旋轉狀態。

12.一種電容器陣列結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導體晶圓，于所述半導體晶圓的正面上形成犧牲層；

于所述犧牲層內形成元件開孔，所述元件開孔上下貫穿所述犧牲層，且所述元件開孔的深寬比大于或等于15；

于所述元件開孔內形成電容的下電極，所述下電極覆蓋所述元件開孔的側壁及底部并具有環形緣開口；

向所述半導體晶圓的正面噴涂潤濕劑，所述潤濕劑預先潤濕所述下電極及所述犧牲層的一部分，且所述潤濕劑與所述犧牲層的接觸角小于30°；

在保持所述下電極的表面潤濕狀態下，采用一次濕法刻蝕工藝移除所述犧牲層的部分，且在所述濕法刻蝕工藝中，避免在濕法腐蝕溶液與所述犧牲層之間產生氣泡；及，

在所述下電極周圍填充介電材料，并在所述介電材料上形成電容器的上電極，以制成電容器陣列結構。

13.根據權利要求12所述的電容器陣列結構的制備方法,其特征在于，所述犧牲層的所述部分為電容制作過程中的底層犧牲層。