[發(fā)明專利]一種3DNAND存儲器件的金屬柵制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710773959.2
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107527794A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐浩;左明光;李遠;彭浩;許愛春;萬先進
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 趙秀芹,王寶筠

1.一種3D NAND存儲器的金屬柵制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有氧化硅/氮化硅層交替排列的層疊結(jié)構(gòu)；

采用液相化學(xué)刻蝕方法去除所述層疊結(jié)構(gòu)中的氮化硅層，形成橫向溝槽陣列；

去除液相化學(xué)刻蝕氮化硅過程中產(chǎn)生的聚集在所述橫向溝槽陣列開口處的刻蝕副產(chǎn)物；

向所述橫向溝槽陣列的橫向溝槽內(nèi)填充金屬介質(zhì)，形成金屬柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述去除液相化學(xué)刻蝕氮化硅過程中產(chǎn)生的聚集在所述橫向溝槽陣列開口處的刻蝕副產(chǎn)物，具體包括：

采用干法刻蝕方法去除液相化學(xué)刻蝕氮化硅過程中產(chǎn)生的聚集在所述橫向溝槽陣列開口處的刻蝕副產(chǎn)物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述干法刻蝕方法為反應(yīng)等離子體刻蝕方法。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，采用反應(yīng)等離子體刻蝕方法去除刻蝕副產(chǎn)物的刻蝕處理條件為：反應(yīng)氣體為含氫、氟的前驅(qū)源氣體，射頻功率為15～600W，工作壓力為1～35Torr，溫度為25～250℃，處理時間為2～100S。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，去除聚集在所述橫向溝槽陣列開口處的刻蝕副產(chǎn)物后形成的橫向溝槽陣列的溝槽開口由外向內(nèi)逐漸縮小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述液相化學(xué)刻蝕方法采用的刻蝕溶液為氮化硅對氧化硅的刻蝕選擇比大于1的刻蝕酸液。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕酸液的氮化硅對氧化硅的刻蝕選擇比大于300。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕酸液為磷酸溶液。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述向所述橫向溝槽陣列的橫向溝槽內(nèi)填充金屬介質(zhì)，形成金屬柵極，具體包括：

通過化學(xué)氣相沉積或原子層沉積方法向所述橫向溝槽陣列的橫向溝槽內(nèi)填充金屬介質(zhì)，形成金屬柵極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述金屬介質(zhì)為金屬鎢。