[發明專利]一種3D NAND存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710773927.2
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107564915B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 陳子琪;吳關平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 黨麗;王寶筠

1.一種3D NAND存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

刻蝕所述襯底，以形成具有凸柱陣列的凹陷區；

在凸柱及凹陷區表面上形成柵介質層；

在凹陷區的柵介質層上形成包圍凸柱的底層犧牲層，所述底層犧牲層低于所述凸柱；

在所述底層犧牲層及凸柱之上形成絕緣層和犧牲層交替層疊的堆疊層；

刻蝕所述堆疊層，在對應于凸柱的區域上形成溝道孔，所述凸柱為源線選通管的溝道區，所述溝道孔用于形成與凸柱連接的存儲層；

在所述溝道孔中形成存儲層，存儲層包括溝道孔側壁上的電荷捕獲層、電荷捕獲層及凸柱上的溝道層、以及溝道層間的絕緣填充層；

將堆疊層中的犧牲層以及底層犧牲層置換為金屬層；

其中，刻蝕所述襯底形成凸柱陣列和刻蝕所述堆疊層形成溝道孔的步驟中，采用相同的掩膜版。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蝕所述襯底，以形成具有凸柱陣列的凹陷區，包括：

在所述襯底上形成硬掩膜層以及圖案化的光阻層；

以所述光阻層為掩蔽，圖案化第一硬掩膜層；

以圖案化的硬掩膜層為掩蔽，刻蝕所述襯底，以形成具有凸柱陣列的凹陷區。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在凹陷區的柵介質層上形成包圍凸柱的底層犧牲層，包括：

進行底層犧牲層的填充；

進行底層犧牲層的平坦化；

刻蝕去除部分厚度的底層犧牲層。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述底層犧牲層及凸柱之上形成絕緣層和犧牲層交替層疊的堆疊層，包括：

進行第一層絕緣層的填充；

進行第一層絕緣層的平坦化，第一層絕緣層高于凸柱的上表面；

在第一層絕緣層上交替層疊犧牲層和絕緣層，以形成堆疊層。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述電荷捕獲層包括依次層疊的氧化硅、氮化硅和氧化硅，所述溝道層為多晶硅。