[發明專利]一種自對準雙圖案化方法

在審

• 申請號: 201710773871.0
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107564804A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 邵克堅;樂陶然;陳世平;張彪;程強;梁玲;劉歡;郭玉芳
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 黨麗,王寶筠

1.一種自對準雙圖案化方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層，所述待刻蝕層上依次形成有第一硬掩膜層、第二硬掩膜層、第二防反射層以及圖案化的光阻層；

對所述光阻層進行修整；

以所述光阻層為掩蔽，干法刻蝕所述第二防反射層，而后，進行第二防反射層的修整；

以第二防反射層為掩蔽，干法刻蝕所述第二硬掩膜層，并去除所述光阻層；

在所述第二硬掩膜的側壁形成側墻；

以所述側墻為掩蔽，干法刻蝕所述第一硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述進行第二防反射層的修整包括：

采用刻蝕氣體進行第二防反射層的各項同性刻蝕，以修整第二防反射層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層為無定型碳，所述第二防反射層為SiON，刻蝕氣體為含氟氣體。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用刻蝕氣體進行第二防反射層的各向同性刻蝕，包括：刻蝕工藝中的溫度范圍為20-30℃，壓力范圍為15-30mtorr，刻蝕氣體為CF₄、流量范圍為50-100sccm，電源功率為550W。

5.根據權要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層上形成有第一防反射層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕所述第二硬掩膜層的步驟中，刻蝕所述第二硬掩膜層的同時，刻蝕去除所述光阻層。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，第一防反射層和第二防反射層為相同的材料，第一防反射層的厚度大于第二防反射層的厚度，所述在所述第二硬掩膜層的側壁形成側墻，以及以所述側墻為掩蔽，干法刻蝕所述第一硬掩膜層，包括：

沉積側墻材料；

進行側墻材料的干法刻蝕，以在第二硬掩膜層的側壁形成側墻，以及通過干法刻蝕，去除第二防反射層和第二硬掩膜層，同時過刻蝕部分第一防反射層；

以所述側墻為掩蔽，干法刻蝕所述第一防反射層和第一硬掩膜層。

8.根據權利要求5-7中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層和第二硬掩膜層為無定型碳，所述第一防反射層和第二防反射層為SiON。

9.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，還包括：

以第一硬掩膜層為掩蔽，進行待刻蝕層的刻蝕。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕層為介質層，所述進行待刻蝕層的刻蝕包括：在待刻蝕層中形成金屬線槽。