[發(fā)明專利]一種利用離子注入增大階梯區(qū)域接觸窗口的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710773131.7
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107731845B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 姚蘭;呂震宇;陳俊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L21/28
• 代理公司: 北京辰權知識產(chǎn)權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種利用離子注入增大階梯區(qū)域接觸窗口的方法，所述方法包括如下步驟：

形成階梯堆棧，所述階梯堆棧的形成方法為在硅基板上交替形成若干層氧化物層和氮化物層，所述氮化物層是氮化硅層；

對上述階梯堆棧進行階梯刻蝕，形成階梯區(qū)域；

對所述階梯區(qū)域進行離子注入，在階梯區(qū)域分別形成呈階梯狀分布的注入氧化物層和注入氮化物層；所述注入氧化物層位于注入氮化物層的上表面；

對離子注入后的階梯區(qū)域進行填充和置換，首先通過使用干法/濕法刻蝕工藝來刻蝕除掉氮化硅層、注入氧化物層和注入氮化物層，被刻蝕掉的部分形成溝槽；然后使用導電材料填充上述溝槽，形成導電層；最后，使用填充材料覆蓋階梯區(qū)域，使其頂部重新形成一個平面。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化物是氧化硅。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

形成所述氧化物層和氮化物層的工藝使用薄膜沉淀工藝。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于：

所述薄膜沉淀工藝包括以下中的一種或多種：化學氣相沉積法(CVD)、物理氣相沉積法(PVD)、或原子層沉積法(ALD)。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于：

使用干法/濕法刻蝕工藝來形成所述階梯區(qū)域。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述填充導電材料和/或使用填充材料覆蓋階梯區(qū)域的工藝包括以下中的一種或多種：化學氣相沉積法(CVD)、物理氣相沉積法(PVD)、或原子層沉積法(ALD)。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述導電材料為鎢、鈷、銅、鋁和/或硅化物中的一種或幾種的組合；所述填充材料為氧化硅。