[發明專利]一種復合窗口層的碲化鎘薄膜太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201710773093.5 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107742652A | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發明(設計)人: | 彭壽;馬立云;潘錦功;殷新建;文秋香 | 申請(專利權)人: | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙)51237 | 代理人: | 李華,溫黎娟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 窗口 碲化鎘 薄膜 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種復合窗口層的碲化鎘薄膜太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池依次設置有襯底層、復合窗口層、光吸收層、背接觸層、背電極層,所述復合窗口層包括摻銦氧化鋅窗口過渡層和硫化鎘窗口層。
2.根據權利要求1所述的復合窗口層的碲化鎘薄膜太陽能電池,其特征在于,所述襯底層為摻鋁氧化鋅的AZO玻璃,所述光吸收層為碲化鎘薄膜層,所述背接觸層為碲化鋅與摻銅碲化鋅復合薄膜層,所述背電極層為鎳鉬薄膜層。
3.根據權利要求1所述的復合窗口層的碲化鎘薄膜太陽能電池,其特征在于,所述襯底層的厚度為50~300nm,所述摻銦氧化鋅過渡層的厚度為50~200nm,所述硫化鎘層的厚度為100~300nm,所述碲化鎘薄膜層的厚度為2~5μm,所述背接觸層的厚度為20~100nm,所述背電極層的厚度為100~400nm。
4.一種復合窗口層的碲化鎘薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述制備方法包括依次設置的以下步驟:(1)以摻鋁氧化鋅的AZO玻璃為襯底層,在所述襯底層上沉積一層摻銦氧化鋅作為窗口過渡層,然后進行退火處理;(2)在所述窗口過渡層上沉積硫化鎘窗口層;(3)在所述硫化鎘窗口層上沉積碲化鎘光吸收層,進行活化處理,然后退火處理;(4)在所述碲化鎘光吸收層上沉積背接觸層;(5)在所述背接觸層上沉積背電極層。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述窗口過渡層的沉積方法選自磁控濺射法或溶膠-凝膠法中的任意一種。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述磁控濺射法具體為以氧化鋅和氧化銦為蒸發源,充分研磨混合后作為蒸發源在襯底層上進行鍍膜,鍍膜時襯底層溫度為100~300℃,濺射壓強為0.5~3.5Pa。
7.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述溶膠-凝膠法具體為以醋酸鋅、氯化銦、乙二醇甲醚、二乙醇胺及甲酰胺為原料,按一定比例配置成溶膠靜置后,采用旋涂法制備薄膜,通過調節旋涂次數控制薄膜厚度。
8.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中退火處理的溫度為350~700℃。
9.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述硫化鎘窗口層和所述碲化鎘光吸收層的沉積方法為空間升華法,所述背接觸層與所述背電極層的沉積方法為磁控濺射法。
10.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中活化處理具體為采用濃度為0.1-0.3mol/L的CdCl2甲醇溶液對硫化鎘窗口層和碲化鎘光吸收層進行活化處理,采用滾軸涂覆法,確保薄膜表面均負載CdCl2,所述退火溫度為300~500℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于成都中建材光電材料有限公司,未經成都中建材光電材料有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710773093.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





