[發明專利]一種可折疊陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710773088.4 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN109427818B | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發明(設計)人: | 王剛;張露;韓珍珍;胡思明;朱暉 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底基板 陣列基板 柵金屬層 源漏金屬層 顯示裝置 像素單元 絕緣層 可折疊 開孔 柵線 抗彎折性能 數據線交叉 不相交 數據線 延伸 | ||
1.一種可折疊陣列基板,包括襯底基板、設置于所述襯底基板一側的柵金屬層,設置于所述柵金屬層遠離所述襯底基板一側的源漏金屬層,以及設置于所述柵金屬層和所述源漏金屬層之間的絕緣層;
其中所述柵金屬層包括柵線、所述源漏金屬層包括數據線,且所述柵線和所述數據線交叉設置,以在所述襯底基板上限定多個像素單元;
所述陣列基板上除所述多個像素單元之外設置有開孔,所述開孔從所述絕緣層遠離所述襯底基板一側向靠近所述襯底基板一側延伸,
所述陣列基板彼此相鄰的兩行像素單元之間包括第一預設打孔區,所述開孔設置于所述第一預設打孔區內,所述第一預設打孔區在所述陣列基板上的正投影與所述柵線不重合;和/或所述陣列基板彼此相鄰的兩列像素單元之間包括第二預設打孔區,所述開孔設置在所述第二預設打孔區內,所述第二預設打孔區在所述陣列基板上的正投影與所述數據線不重合。
2.根據權利要求1所述的可折疊陣列基板,其特征在于,所述第一預設打孔區和所述第二預設打孔區的寬度在2-10微米的范圍內。
3.根據權利要求1所述的可折疊陣列基板,其特征在于,還包括設置于所述襯底基板一側且與該襯底基板接觸的緩沖層,所述開孔包括第一類開孔,所述第一類開孔從所述絕緣層遠離所述襯底基板的一側向靠近所述襯底基板的一側延伸至所述緩沖層。
4.根據權利要求2所述的可折疊陣列基板,其特征在于,所述開孔還包括第二類開孔,所述第二類開孔從所述絕緣層遠離所述襯底基板的一側向靠近所述襯底基板的一側延伸至所述柵金屬層的金屬走線。
5.根據權利要求1所述的可折疊陣列基板,其特征在于,所述開孔包括在所述柵線的長度方向上延伸的第一孔槽。
6.根據權利要求5所述的可折疊陣列基板,其特征在于,所述開孔還包括在所述數據線的長度方向上延伸的多個孔。
7.根據權利要求5所述的可折疊陣列基板,其特征在于,還包括設置于所述襯底基板一側且與該襯底基板接觸的緩沖層;所述開孔包括在所述數據線的長度方向上延伸的第二孔槽;其中所述第二孔槽包括從所述絕緣層遠離所述襯底基板一側延伸至所述緩沖層的部分和延伸至所述柵線的部分。
8.根據權利要求1-7任一項所述的可折疊陣列基板,其特征在于,還包括位于所述柵金屬層和所述源漏金屬層之間的電容層、所述絕緣層包括設置在所述電容層與所述源漏金屬層之間的第一絕緣層以及設置于所述電容層與所述柵金屬層之間的第二絕緣層。
9.一種包括如權利要求1-8任一項所述陣列基板的OLED顯示裝置。
10.一種可折疊陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成有源層圖案、柵金屬層圖案、絕緣層;其中柵金屬層圖案包括柵線;
在所述絕緣層遠離所述襯底基板一側且在像素單元之外形成向襯底基板方向延伸的開孔;其中所述開孔與所述像素單元不相交,所述陣列基板彼此相鄰的兩行像素單元之間包括第一預設打孔區,所述開孔設置于所述第一預設打孔區內,所述第一預設打孔區在所述陣列基板上的正投影與所述柵線不重合,和/或所述陣列基板彼此相鄰的兩列像素單元之間包括第二預設打孔區,所述開孔設置在所述第二預設打孔區內,所述第二預設打孔區在所述陣列基板上的正投影與所述陣列基板的數據線不重合。
11.根據權利要求10所述的可折疊陣列基板的制備方法,其特征在于,所述在所述絕緣層遠離所述襯底基板一側且在像素單元之外形成向襯底基板方向延伸的開孔包括:
在至少一對彼此相鄰的兩行像素單元之間形成在所述柵線的長度方向延伸的第一孔槽。
12.根據權利要求11所述的可折疊陣列基板的制備方法,其特征在于,所述在所述絕緣層遠離所述襯底基板一側且在像素單元之外形成向襯底基板方向延伸的開孔之后還包括:
形成源漏金屬層圖案;其中所述源漏金屬層圖案包括所述數據線;
所述在所述絕緣層遠離所述襯底基板一側且在像素單元之外形成向襯底基板方向延伸的開孔還包括:
在至少一對彼此相鄰的兩列像素單元之間形成在所述數據線的長度方向延伸的第二孔槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





