[發(fā)明專(zhuān)利]一種低溫多晶硅TFT陣列基板制備方法及陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710772525.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107342260B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 班圣光;曹占鋒;姚琪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種低溫多晶硅TFT陣列基板制備方法及陣列基板。制備方法包括在襯底基板上依次形成非晶硅膜層和多晶硅膜層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)所述非晶硅膜層和所述多晶硅膜層進(jìn)行圖案化處理，使所述非晶硅膜層形成遮光層圖形，并使所述多晶硅層形成有源層圖形。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法省去了一次構(gòu)圖工藝，簡(jiǎn)化了低溫多晶硅TFT陣列基板的制備工藝，提高了低溫多晶硅TFT陣列基板的生產(chǎn)效率并降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低溫多晶硅TFT陣列基板制備方法及陣列基板。

背景技術(shù)

在目前的顯示面板技術(shù)領(lǐng)域中，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；LTPS)技術(shù)已受到廣泛的重視和應(yīng)用。低溫多晶硅具有高遷移率的特性，因此在顯示面板中采用低溫多晶硅制成的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶體管)器件，可提高顯示面板的分辨率、反應(yīng)速度、亮度和開(kāi)口率，同時(shí)，利用低溫多晶硅技術(shù)可將顯示面板的外圍驅(qū)動(dòng)電路集成于基板上，還可起到節(jié)省顯示面板的空間和降低生產(chǎn)成本的作用。

然而，在低溫多晶硅TFT陣列基板的制備過(guò)程中，目前的低溫多晶硅TFT半導(dǎo)體層的制備工藝復(fù)雜，與傳統(tǒng)的基于非晶硅顯示技術(shù)的陣列基板相比，非晶硅TFT陣列基板需采用4-5道構(gòu)圖工藝，而低溫多晶硅TFT陣列基板需要采用9-11道構(gòu)圖工藝，其生產(chǎn)工藝較為復(fù)雜，導(dǎo)致低溫多晶硅TFT陣列基板的生產(chǎn)效率降低且生產(chǎn)成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種低溫多晶硅TFT陣列基板制備方法及陣列基板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的低溫多晶硅TFT陣列基板的生產(chǎn)工藝復(fù)雜而導(dǎo)致的生產(chǎn)效率降低和生產(chǎn)成本增加的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下的技術(shù)方案：

一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法，包括：

在襯底基板上依次形成非晶硅膜層和多晶硅膜層；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)所述非晶硅膜層和所述多晶硅膜層進(jìn)行圖案化處理，使所述非晶硅膜層形成遮光層圖形，并使所述多晶硅層形成有源層圖形。

本發(fā)明提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法中，采用非晶硅材料膜層作為遮光層，可通過(guò)同一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成遮光層的圖形和有源層的圖形，而現(xiàn)有技術(shù)中采用金屬材料膜層作為遮光層，需通過(guò)一次構(gòu)圖工藝單獨(dú)形成遮光層圖形之后，再通過(guò)另一次構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制備方法省去了一次構(gòu)圖工藝，簡(jiǎn)化了低溫多晶硅TFT陣列基板的制備工藝，提高了低溫多晶硅TFT陣列基板的生產(chǎn)效率并降低了生產(chǎn)成本。

可選地，在所述襯底基板上形成多晶硅膜層之前，還包括：

在所述非晶硅膜層上形成防護(hù)層。

進(jìn)一步地，所述防護(hù)層的材料為氧化鋁。

進(jìn)一步地，所述在所述非晶硅膜層上形成防護(hù)層，具體包括：

在所述非晶硅層上形成鋁膜層；

對(duì)所述鋁膜層進(jìn)行氧化處理，使所述鋁膜層形成所述防護(hù)層。

進(jìn)一步地，所述對(duì)所述鋁膜層進(jìn)行氧化處理，具體包括：

在氧氣或者空氣中對(duì)所述鋁膜層進(jìn)行退火處理。

進(jìn)一步地，所述防護(hù)層的厚度為100-1000埃米。

進(jìn)一步地，所述在襯底基板上形成晶硅膜層，具體包括：

在所述防護(hù)層上形成有源層緩沖層。

進(jìn)一步地，所述有源層緩沖層由氧化硅材料制成，且所述有源層緩沖層的厚度為1000-3000埃米。