[發(fā)明專利]一種金屬柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710772274.6
• 申請(qǐng)日: 2017-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN107578993A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左明光;唐浩;萬先進(jìn);吳關(guān)平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底上形成有柵極待填充區(qū)域；

沿所述待填充區(qū)域表面形成第一阻擋層；

向所述待填充區(qū)域填充含氟鎢源制成的金屬鎢，以形成金屬鎢電極層；

對(duì)所述金屬鎢電極層進(jìn)行反刻形成凹槽，沿所述凹槽表面形成不含氟的第二阻擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻擋層是通過無氟化合物熱分解，與離子化氫氣發(fā)生還原反應(yīng)形成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻擋層是通過化學(xué)氣相沉積法形成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在凹槽內(nèi)形成不含氟的第二阻擋層之后，還包括：

在第二阻擋層表面形成氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二阻擋層包括無氟金屬鎢層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一阻擋層包括氮化鈦層或氮化鉭層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)器件，所述待填充區(qū)域包括氧化硅/氮化硅層堆疊結(jié)構(gòu)中的氮化硅層被去除后形成的鏤空層。

8.一種金屬柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括：

襯底，所述襯底上形成有柵極待填充區(qū)域；

在所述柵極待填充區(qū)域內(nèi)依次形成有第一阻擋層、金屬鎢電極層和第二阻擋層；所述金屬鎢電極層是通過含氟鎢源淀積的，所述第二阻擋層不含氟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述第二阻擋層之上的氧化層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柵極結(jié)構(gòu)應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)器件中。