[發明專利]一種三維存儲器及其平坦化方法

有效

• 申請號: 201710771687.2
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107578996B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 周成;趙治國;袁彬;龔睿;唐兆云;夏志良;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

1.一種三維存儲器平坦化方法，其特征在于，應用于三維存儲器的制作，所述三維存儲器包括襯底，所述襯底分為核心區域和包圍所述核心區域的外圍區域，以及位于所述外圍區域和所述核心區域之間，沿所述外圍區域指向所述核心區域方向依次設置的空曠區域和臺階區域；所述臺階區域襯底上形成有臺階結構；所述核心區域襯底上形成有包括第一子疊層和第二子疊層交叉層疊的疊層結構，且所述疊層結構背離所述襯底的表面為第一阻擋層；

所述三維存儲器平坦化方法包括：

在所述襯底的外圍區域、空曠區域、臺階區域和核心區域沉積氧化層，使所述空曠區域的氧化層背離所述襯底的表面與所述第一阻擋層朝向所述襯底的表面齊平；

去除部分所述外圍區域的氧化層，使所述外圍區域的去除部分氧化層后背離所述襯底的表面與所述空曠區域的氧化層背離所述襯底的表面齊平；

在所述襯底的外圍區域、空曠區域、臺階區域和核心區域上的氧化層上形成第二阻擋層；

去除所述核心區域的第二阻擋層以及所述核心區域的氧化層；

進行第一次平坦化，使所述外圍區域、所述空曠區域、所述臺階區域和所述核心區域的表面齊平至所述空曠區域的第二阻擋層背離所述襯底的表面；

去除所述外圍區域的第二阻擋層、所述空曠區域的第二阻擋層和所述核心區域的第一阻擋層；

進行第二次平坦化，使所述外圍區域、所述臺階區域和所述核心區域的表面齊平所述空曠區域氧化層背離所述襯底的表面。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器平坦化方法，其特征在于，所述進行第一次平坦化和所述進行第二次平坦化采用的工藝相同，具體包括：

采用化學機械研磨工藝進行平坦化。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器平坦化方法，其特征在于，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層以及所述第一子疊層的材質相同，均為SiN或多晶硅。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器平坦化方法，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度為包括端點值。

5.一種三維存儲器平坦化方法，其特征在于，應用于三維存儲器的制作，所述三維存儲器包括襯底，所述襯底分為核心區域和包圍所述核心區域的外圍區域，以及位于所述外圍區域和所述核心區域之間，沿所述外圍區域指向所述核心區域方向依次設置的空曠區域和臺階區域；所述臺階區域襯底上形成有臺階結構；所述核心區域襯底上形成有包括第一子疊層和第二子疊層交叉層疊的疊層結構，且所述疊層結構背離所述襯底的表面為第一阻擋層；

所述三維存儲器平坦化方法包括：

在所述襯底的外圍區域、空曠區域、臺階區域和核心區域沉積氧化層，使所述空曠區域的氧化層背離所述襯底的表面與所述第一阻擋層朝向所述襯底的表面齊平；

去除部分所述外圍區域的氧化層，使所述外圍區域的去除部分氧化層后背離所述襯底的表面與所述空曠區域的氧化層背離所述襯底的表面齊平；

去除所述核心區域的氧化層；

在所述外圍區域、所述空曠區域和所述臺階區域的氧化層上，以及所述核心區域的第一阻擋層上形成第二阻擋層；

進行第一次平坦化，使所述外圍區域、所述空曠區域、所述臺階區域和所述核心區域的表面齊平至所述空曠區域的第二阻擋層背離所述襯底的表面；

去除所述外圍區域的第二阻擋層、所述空曠區域的第二阻擋層和所述核心區域的第一阻擋層；

進行第二次平坦化，使所述外圍區域、所述臺階區域和所述核心區域的表面齊平所述空曠區域氧化層背離所述襯底的表面。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器平坦化方法，其特征在于，所述進行第一次平坦化和所述進行第二次平坦化采用的工藝相同，具體包括：

采用化學機械研磨工藝進行平坦化。

7.根據權利要求5所述的三維存儲器平坦化方法，其特征在于，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層以及所述第一子疊層的材質相同，均為SiN或多晶硅。

8.根據權利要求5所述的三維存儲器平坦化方法，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度為包括端點值。