[發明專利]控制氣相二氧化硅生產過程中的料位平衡方法及裝置

有效

• 申請號: 201710771049.0
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107572540B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 姜明財
• 申請（專利權）人: 沈陽化工股份有限公司
• 主分類號: C01B33/18
• 分類號: C01B33/18
• 代理公司: 北京中強智尚知識產權代理有限公司 11448
• 代理人: 王書彪;劉艷芬

1.一種控制氣相二氧化硅生產過程中的料位平衡方法，其特征在于，包括以下步驟：

將氣相二氧化硅加入到脫酸爐內，對靠近出料口處的所述脫酸爐內的不同區域進行實時監測，并按照所述脫酸爐內監測到的溫度不同，進行水平區域劃分，即溫度最高的區域為實料區，溫度最低的區域為無料區，溫度在所述實料區和所述無料區的溫度之間的區域為虛料區；

分別對所述實料區、虛料區和無料區內的溫度進行實時監測；

通過控制所述料位的高度，來調整所述實料區、虛料區和無料區內的溫度，使所述實料區與所述虛料區之間溫差為250～350℃、所述虛料區與所述無料區之間的溫差為500～600℃，來達到所述料位的平衡；

其中,在對所述實料區、虛料區和無料區內的溫度進行實時監測時，通過反復的對所述脫酸爐內加料或出料的控制，來記錄所述脫酸爐內所述實料區和無料區的溫度變化，并分別記錄所述實料區和無料區的溫度在變化中的最高溫度和最低溫度，其中，最高溫度為所述脫酸爐內純氣相二氧化硅區域的常態溫度，最低溫度為所述脫酸爐內無氣相二氧化硅區域的常態溫度；

將實時監測到的實料區、虛料區和無料區內的溫度與所述脫酸爐內純氣相二氧化硅區域的常態溫度、以及無氣相二氧化硅區域的常態溫度進行對比分析，判斷所述料位的高度是否在料位平衡位置，并向所述脫酸爐內加料或減料，進而調整所述料位的位置，使所述實料區與所述虛料區之間溫差為250～350℃、所述虛料區與所述無料區之間的溫差為500～600℃。

2.根據權利要求1所述的一種控制氣相二氧化硅生產過程中的料位平衡方法，其特征在于，當所述實料區、虛料區和無料區內的溫度均接近在所述脫酸爐內純氣相二氧化硅區域的常態溫度時，通過停止加料和加快出料，來降低所述料位的高度，使所述虛料區和所述無料區的溫度下降。

3.根據權利要求1所述的一種控制氣相二氧化硅生產過程中的料位平衡方法，其特征在于，當所述實料區、虛料區和無料區內的溫度均接近在所述脫酸爐內無氣相二氧化硅區域的常態溫度時，通過停止出料和快速加料，來提高所述料位的高度，使所述實料區和所述虛料區的溫度升高。

4.根據權利要求1所述的一種控制氣相二氧化硅生產過程中的料位平衡方法，其特征在于，當所述實料區和虛料區內的溫度的數值均接近在所述脫酸爐內純氣相二氧化硅區域的常態溫度，并高于所述無料區的溫度時，通過停止加料和緩慢出料，來緩慢降低所述料位的高度，使所述實料區和所述虛料區的溫度降低。

5.根據權利要求1所述的一種控制氣相二氧化硅生產過程中的料位平衡方法，其特征在于，所述實料區和虛料區內的溫度均接近在所述脫酸爐內無氣相二氧化硅區域的常態溫度，并高于所述無料區的溫度時，通過停止出料和緩慢加料，來緩慢提高所述料位的高度，使所述實料區和所述虛料區的溫度升高。