[發(fā)明專利]曝光裝置、曝光方法及光刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710770859.4
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN109426091B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成紋圭
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種利用曝光裝置的曝光方法，其中，所述曝光裝置包括：曝光光源和光路組件，所述光路組件配置為將所述曝光光源發(fā)出的光引導(dǎo)至曝光位置，

所述光路組件包括光閥陣列，所述曝光光源發(fā)出的光可以被引導(dǎo)至所述光閥陣列，且經(jīng)所述光閥陣列透射或反射之后被引導(dǎo)至所述曝光位置，

所述光閥陣列包括多個光閥單元，所述光閥單元的光透射率或反射率能夠被調(diào)節(jié)；

所述曝光方法包括：

獲取曝光補(bǔ)償參數(shù)；

根據(jù)所述曝光補(bǔ)償參數(shù)，調(diào)整所述光閥陣列的反射率或透射率；以及

使用從所述曝光光源發(fā)射且經(jīng)所述光閥陣列調(diào)整后的光進(jìn)行曝光；

其中，獲取所述曝光補(bǔ)償參數(shù)包括：

獲得臨界尺寸測試圖案；

根據(jù)所述測試圖案得出所述臨界尺寸的分布矩陣A_ij；以及

由目標(biāo)臨界尺寸矩陣a_target與所述臨界尺寸的分布矩陣A_ij計算得到補(bǔ)償因子矩陣C_ij作為補(bǔ)償參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其中，在所述曝光裝置中，所述光路組件包括兩條光路：

不包括所述光閥陣列的第一曝光光路，以及

包括所述光閥陣列的第二曝光光路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其中，在所述曝光裝置中，所述光路組件還包括第一反射鏡和第二反射鏡，

所述第一反射鏡將所述曝光光源發(fā)出的光引導(dǎo)至所述光閥陣列，

所述第二反射鏡將經(jīng)所述光閥陣列透射或反射之后的光引導(dǎo)至所述曝光位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其中，在所述曝光裝置中，所述光閥陣列為反射型光閥陣列或透射型光閥陣列。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其中，在所述曝光裝置中，

所述反射型光閥陣列包括微鏡陣列；

所述透射型光閥陣列包括電致變色光閥陣列或液晶光閥陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其中，所述曝光裝置還包括：

控制裝置，配置為調(diào)節(jié)所述光閥單元的光透射率或反射率。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其中，在所述曝光裝置中，

- 電致變色光閥陣列采用的電致變色材料為WO₃、MoO、Nb₂O₅、V₂O₅、NiO、IrO或MnO。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其中，在所述曝光裝置中，

所述控制裝置配置為通過調(diào)節(jié)施加在所述光閥陣列的各個光閥單元的電壓來調(diào)節(jié)所述光閥單元的光透射率或反射率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其中，所述曝光裝置還包括：

存儲裝置，配置為存儲施加在所述光閥單元的電壓與所述光閥單元的光透射率或反射率之間的關(guān)系。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，還包括：

在獲取所述曝光補(bǔ)償參數(shù)之前，先判斷不采用所述光閥陣列進(jìn)行曝光的情況下的曝光圖案是否符合預(yù)定要求，如果不符合，則再獲取所述曝光補(bǔ)償參數(shù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其中，由所述目標(biāo)臨界尺寸矩陣a_target與所述臨界尺寸的分布矩陣A_ij通過以下公式計算得到所述補(bǔ)償因子矩陣C_ij：